Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 27A MICROCHIP MSC060SMB120B4N SMB

Tranzistorul N-MOSFET SiC MSC060SMB120B4N de la MICROCHIP TECHNOLOGY este proiectat pentru aplicații de înaltă performanță, oferind o tensiune drenă-sursă de 1,2 kV și un curent de drenă de 27A. Cu o tehnologie avansată pe bază de carbura de siliciu (SiC), acest dispozitiv asigură o rezistență redusă în timpul funcționării de doar 80 mΩ și o putere disipată de 192W, fiind ideal pentru sisteme cu cerințe ridicate de eficiență și fiabilitate.

• Gama: SMB


• Producător: MICROCHIP TECHNOLOGY


• Subtip ambalaj: tub


• Montare: THT (Through-Hole Technology)


• Carcasă: TO247-4-notch


• Caracteristici elemente semiconductoare: terminal Kelvin


• Curent de drenă în impuls: 84A


• Polarizare: unipolar


• Subtip canal: îmbogățit


• Încărcătură poartă: 45nC


• Tip tranzistor: N-MOSFET

Ambalat în tub, acest tranzistor este potrivit pentru montare THT, facilitând integrarea în diverse aplicații industriale și electronice. Terminalul Kelvin optimizează performanța electrică, reducând pierderile și îmbunătățind controlul curentului. Ideal pentru echipamente care necesită comutare rapidă și eficientă, MSC060SMB120B4N este o soluție robustă și durabilă pentru proiecte avansate.