Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 38A MICROCHIP MSC040SMB120B4N
Cod producător: MSC040SMB120B4N
🔍 zoomSpecificații cheie
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Tehnologie
- SiC
- Curent drena
- 38A
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Subtip ambalaj
- tub
- Caracteristici elemente semiconductoare
- terminal Kelvin
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
Tranzistor: N-MOSFET · SiC · unipolar · 1,2kV · 38A · Idm: 122A · 256W
În stocExpediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
89,24 RON / bucată
TVA inclus
73,75 RON / bucată (fără TVA)
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Tehnologie
- SiC
- Curent drena
- 38A
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Subtip ambalaj
- tub
- Caracteristici elemente semiconductoare
- terminal Kelvin
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
Specificații Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 38A MICROCHIP MSC040SMB120B4N
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
| Montare | THT | |
| Polarizare | unipolar | |
| Tehnologie | SiC | |
| Curent drena | 38A | |
| Subtip canal | îmbogăţit | |
| Subtip ambalaj | tub | |
| Caracteristici elemente semiconductoare | terminal Kelvin | |
| Tip tranzistor | N-MOSFET | |
| Tensiune drena sursa | 1,2kV | |
| Incarcatura poarta | 69nC | |
| Rezistenta in timpul functionarii | 53mΩ | |
| Carcasa | TO247-4-notch | |
| Gama | SMB | |
| Putere disipata | 256W | |
| Curent de drena in impuls | 122A |
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare
Descriere Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 38A MICROCHIP MSC040SMB120B4N
Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 38A MICROCHIP MSC040SMB120B4N este un dispozitiv semiconductor de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită eficiență și fiabilitate în condiții de tensiune și curent ridicat. Fabricat de MICROCHIP TECHNOLOGY, acest tranzistor face parte din gama SMB și este ambalat în tub, având montare THT și carcasă TO247-4-notch.
- Putere disipată: 256W
- Curent drenă: 38A
- Curent de drenă în impuls: 122A
- Tensiune drenă-sursă: 1,2kV
- Rezistenţă în timpul funcţionării: 53mΩ
- Încărcătură poartă: 69nC
- Caracteristici elemente semiconductoare: terminal Kelvin
- Polarizare: unipolar
- Subtip canal: îmbogăţit
- Tip tranzistor: N-MOSFET
- Tehnologie: SiC (carbură de siliciu)
Acest tranzistor N-MOSFET SiC oferă performanțe superioare datorită tehnologiei SiC, asigurând o rezistență redusă în timpul funcționării și o disipare eficientă a puterii. Este potrivit pentru aplicații industriale și electronice ce necesită comutare rapidă și gestionare eficientă a energiei.
Documentație Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 38A MICROCHIP MSC040SMB120B4N
Documentația tehnică nu e disponibilă pentru acest produs.
Recenzii Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 38A MICROCHIP MSC040SMB120B4N
Nicio recenzie încă. Fii primul care adaugă una!
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse asociate(47)
1 / 8
Stoc limitat
Fără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-129/1000/M
Radiator extrudat cu aripioare naturale 1m
442,41RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-202/1000/M
Radiator extrudat U natural 1m
171,44RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-202/1000/SW
Radiator extrudat negru pentru TO220
698,91RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
FISCHER ELEKTRONIKSK 456 60 3 X M3 L
Radiator extrudat cu aripioare 40mm
85,33RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-225/50,8/SW/V/I
Radiator extrudat U, aluminiu anodizat
103,83RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-195/25,4/SW
Radiator extrudat cu aripioare negru
78,84RON / bucTVA inclus