EMElectronicMag.ro
Tranzistor P-MOSFET ONSEMI FDS6673BZ -30V 14,5A 2,5W SO8

Tranzistor P-MOSFET ONSEMI FDS6673BZ -30V 14,5A 2,5W SO8

Cod producător: FDS6673BZ
Producător:ONSEMI
În stoc
13,89 RON
TVA inclus
11,48 RON (fără TVA)

Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -14,5A; 2,5W; SO8

Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.

ProducătorONSEMI
Subtip-ambalajrolă / bandă
Polarizareunipolar
MontareSMD
Subtip-canalîmbogăţit
Tensiune-poarta-sursa±25V
CarcasaSO8
Tip-tranzistorP-MOSFET
Incarcatura-poarta65nC
Rezistenta-in-timpul-functionarii12mΩ
Putere-disipata2,5W
TehnologiePowerTrench®
Tensiune-drena-sursa-30V
Curent-drena-14,5A
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare

Produse asociate(11)

1 / 2
Lipsă stoc
Fără imagineUnealtă pentru îmbinare benzi
ANTISTAT
Unealtă pentru îmbinare benzi
4.496,37RONTVA inclus
Lipsă stoc
Fără imagineKit Pensete SMD ESD cu Etui, Rezistent la Acizi
BERNSTEIN
Kit Pensete SMD ESD cu Etui, Rezistent la Acizi
804,32RONTVA inclus
În stoc
Fără imaginePensetă Nemagnetică cu Vârf Curbat SMD
BERNSTEIN
Pensetă Nemagnetică cu Vârf Curbat SMD
176,81RONTVA inclus
Stoc: 4
Fără imaginePensetă Nemagnetică Trapezoidală SMD ESD
BERNSTEIN
Pensetă Nemagnetică Trapezoidală SMD ESD
174,99RONTVA inclus
Lipsă stoc
Fără imaginePensetă vârfuri îndoite 35° SMD
BERNSTEIN
Pensetă vârfuri îndoite 35° SMD
132,48RONTVA inclus
Stoc: 1
Fără imagine
ANTISTAT
Unealtă pentru Îmbinare Benzi
2.844,96RONTVA inclus