Tranzistor N-MOSFET STMicroelectronics STP11N60DM2 600V 6,3A MDmesh™ DM2

Tranzistor N-MOSFET STMicroelectronics STP11N60DM2 600V 6,3A MDmesh™ DM2 este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficientă. Fabricat de STMicroelectronics, acest tranzistor N-MOSFET beneficiază de tehnologia avansată MDmesh™ DM2, asigurând o rezistență redusă în timpul funcționării și o disipare a puterii de până la 110W.

• Producător: STMicroelectronics


• Subtip ambalaj: tub


• Putere disipată: 110W


• Montare: THT


• Carcasă: TO220-3


• Curent de drenă în impuls: 40A


• Polarizare: unipolar


• Curent drenă: 6,3A


• Tensiune drenă-sursă: 600V


• Tensiune poartă-sursă: ±25V


• Rezistenţă în timpul funcţionării: 0,42Ω


• Subtip canal: îmbogăţit


• Încărcătură poartă: 16,5nC


• Tip tranzistor: N-MOSFET


• Tehnologie: MDmesh™ DM2

Acest tranzistor este potrivit pentru circuite de putere, surse de alimentare, convertoare și alte aplicații industriale ce necesită fiabilitate și eficiență energetică ridicată. Carcasa TO220-3 facilitează montarea THT, iar caracteristicile electrice îl recomandă pentru utilizări ce implică tensiuni și curenți mari.