Tranzistor N-MOSFET INFINEON 80V 160A IPB030N08N3GATMA1 PG-TO263-7

Tranzistor N-MOSFET INFINEON 80V 160A IPB030N08N3GATMA1 PG-TO263-7 este un component electronic de înaltă performanță, fabricat de INFINEON TECHNOLOGIES, ideal pentru aplicații ce necesită eficiență și fiabilitate ridicată. Acest tranzistor N-MOSFET cu tehnologie OptiMOS™ 3 oferă o putere disipată de 214W și un curent de drenă de 160A, asigurând performanțe optime în circuite de putere. Montarea se realizează prin tehnologia SMD, iar carcasa robustă PG-TO263-7 garantează o disipare termică eficientă. Cu o tensiune drenă-sursă de 80V și o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor unipolar de tip îmbogățit prezintă o rezistență în timpul funcționării foarte redusă, de doar 3mΩ, ceea ce contribuie la minimizarea pierderilor de energie. Ideal pentru aplicații industriale și electronice de putere, acest produs combină performanța avansată cu durabilitatea, fiind o alegere excelentă pentru proiecte ce solicită componente de înaltă calitate.