🔍 zoom- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Subtip ambalaj
- tub
- Putere disipata
- 150W
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
- Tensiune drena sursa
- 100V
- Tensiune poarta sursa
- ±20V
Tranzistor: N-MOSFET · STripFET™ F7 · unipolar · 100V · 76A · Idm: 415A
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Subtip ambalaj
- tub
- Putere disipata
- 150W
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
- Tensiune drena sursa
- 100V
- Tensiune poarta sursa
- ±20V
Specificații Tranzistor N-MOSFET STMicroelectronics STP110N10F7 100V 76A STripFET™ F7
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | STMicroelectronics | |
| Montare | THT | |
| Polarizare | unipolar | |
| Subtip canal | îmbogăţit | |
| Subtip ambalaj | tub | |
| Putere disipata | 150W | |
| Tip tranzistor | N-MOSFET | |
| Tensiune drena sursa | 100V | |
| Tensiune poarta sursa | ±20V | |
| Carcasa | TO220-3 | |
| Curent drena | 76A | |
| Tehnologie | STripFET™ F7 | |
| Rezistenta in timpul functionarii | 7mΩ | |
| Incarcatura poarta | 72nC | |
| Curent de drena in impuls | 415A |
Descriere Tranzistor N-MOSFET STMicroelectronics STP110N10F7 100V 76A STripFET™ F7
Tranzistor N-MOSFET STMicroelectronics STP110N10F7 100V 76A STripFET™ F7 este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficiență energetică ridicată. Fabricat de STMicroelectronics, acest tranzistor beneficiază de tehnologia avansată STripFET™ F7, care asigură o rezistență scăzută în timpul funcționării de doar 7mΩ și o capacitate mare de disipare a puterii de 150W.
- Producător: STMicroelectronics
- Subtip ambalaj: tub
- Putere disipată: 150W
- Montare: THT
- Carcasă: TO220-3
- Curent de drenă în impuls: 415A
- Polarizare: unipolar
- Curent drenă: 76A
- Tensiune drenă-sursă: 100V
- Tensiune poartă-sursă: ±20V
- Rezistenţă în timpul funcţionării: 7mΩ
- Subtip canal: îmbogăţit
- Încărcătură poartă: 72nC
- Tip tranzistor: N-MOSFET
- Tehnologie: STripFET™ F7
Datorită caracteristicilor sale tehnice, tranzistorul STP110N10F7 este potrivit pentru utilizare în circuite de putere, surse de alimentare, convertoare și alte aplicații industriale care necesită fiabilitate și performanță superioară.
Documentație Tranzistor N-MOSFET STMicroelectronics STP110N10F7 100V 76A STripFET™ F7
Documentația tehnică nu e disponibilă pentru acest produs.
Recenzii Tranzistor N-MOSFET STMicroelectronics STP110N10F7 100V 76A STripFET™ F7
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse asociate(48)




