Tranzistor N-MOSFET ONSEMI NDP6060L 60V 48A 100W TO220AB

Tranzistor N-MOSFET ONSEMI NDP6060L 60V 48A 100W TO220AB este un component semiconductor de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficiență energetică. Fabricat de ONSEMI, acest tranzistor N-MOSFET dispune de o tensiune maximă drenă-sursă de 60V și un curent maxim de drenă de 48A, oferind o putere disipată de până la 100W.

• Producător: ONSEMI


• Subtip ambalaj: tub


• Putere disipată: 100W


• Montare: THT (Through-Hole Technology)


• Carcasă: TO220AB


• Caracteristici elemente semiconductoare: logic level


• Polarizare: unipolar


• Curent drenă: 48A


• Tensiune drenă-sursă: 60V


• Tensiune poartă-sursă: ±16V


• Rezistenţă în timpul funcţionării: 40mΩ


• Subtip canal: îmbogăţit


• Încărcătură poartă: 60nC


• Tip tranzistor: N-MOSFET

Designul său robust și caracteristicile tehnice avansate îl recomandă pentru utilizare în circuite de putere, convertoare DC-DC, drivere de motoare și alte aplicații industriale sau electronice ce necesită fiabilitate și performanță ridicată.