Tranzistor N-MOSFET VISHAY 600V 13A SIHP22N60E-GE3 TO220AB

Tranzistor N-MOSFET VISHAY 600V 13A SIHP22N60E-GE3 TO220AB este un component semiconductor de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficiență ridicată. Fabricat de VISHAY, acest tranzistor N-MOSFET dispune de o tensiune drenă-sursă de 600V și un curent de drenă continuu de 13A, asigurând o putere disipată maximă de 227W. Carcasa TO220AB și montarea THT facilitează integrarea ușoară în circuite electronice. Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 0,18Ω și o încărcătură poartă de 86nC, oferă performanțe stabile și fiabile. Polarizarea unipolară și subtipul canalului îmbogățit contribuie la o funcționare optimă în diverse aplicații industriale și electronice. Ambalajul tip tub asigură protecția componentelor în timpul transportului și manipulării. Caracteristici principale:

• Producător: VISHAY
• Subtip ambalaj: tub
• Putere disipată: 227W
• Montare: THT
• Carcasă: TO220AB
• Curent de drenă în impuls: 56A
• Polarizare: unipolar
• Curent drenă: 13A
• Tensiune drenă-sursă: 600V
• Tensiune poartă-sursă: ±30V
• Rezistenţă în timpul funcţionării: 0,18Ω
• Subtip canal: îmbogăţit
• Încărcătură poartă: 86nC
• Tip tranzistor: N-MOSFET

Acest tranzistor este soluția ideală pentru proiecte ce necesită componente robuste, eficiente și cu performanțe electrice superioare.