Tranzistor P-MOSFET ONSEMI -30V, -0,8A, Idm -5A, 290mW

Cod producător: NTS4173PT1G
ONSEMI
Tranzistor P-MOSFET ONSEMI -30V, -0,8A, Idm -5A, 290mW🔍 zoom

Tranzistor: P-MOSFET · unipolar · -30V · -0,8A · Idm: -5A · 290mW

În stoc
2,94 RON / bucată
TVA inclus
2,43 RON / bucată (fără TVA)
Cantitate minimă comandă: 4 buc, în multipli de 4 buc.Valori valide: 4, 8, 12, …
Expediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
Subtip ambalaj
rolă / bandă
Polarizare
unipolar
Montare
SMD
Subtip canal
îmbogăţit
Tip tranzistor
P-MOSFET
Rezistenta in timpul functionarii
0,15Ω
Tensiune drena sursa
-30V
Carcasa
SC70 / SOT323
+ încă 5 parametri în specificații →

Specificații Tranzistor P-MOSFET ONSEMI -30V, -0,8A, Idm -5A, 290mW

Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.

ProducătorONSEMI
Subtip ambalajrolă / bandă
Polarizareunipolar
MontareSMD
Subtip canalîmbogăţit
Tip tranzistorP-MOSFET
Rezistenta in timpul functionarii0,15Ω
Tensiune drena sursa-30V
CarcasaSC70 / SOT323
Tensiune poarta sursa±12V
Curent drena-800mA
Putere disipata0,29W
Curent de drena in impuls-5A
Incarcatura poarta10,1nC
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare

Întrebări despre acest produs

Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.

Produse asociate(46)

1 / 8