Tranzistor N-MOSFET STripFET™ H6 40V 80A STMicroelectronics - Performanță Ridicată

Tranzistor N-MOSFET STripFET™ H6 40V 80A STMicroelectronics - Performanță Ridicată este componenta ideală pentru aplicații ce necesită eficiență și fiabilitate superioară. Fabricat de STMicroelectronics, acest tranzistor oferă performanțe remarcabile datorită tehnologiei avansate STripFET™ H6.

• Tip tranzistor: N-MOSFET unipolar


• Tehnologie: STripFET™ H6


• Tensiune drenă-sursă: 40V


• Curent drenă continuu: 80A


• Curent de drenă în impuls: 320A


• Rezistență în timpul funcționării: 4,3mΩ


• Putere disipată: 110W


• Încărcătură poartă: 65nC


• Tensiune poartă-sursă: ±20V


• Montare: THT, carcasă TO220-3


• Subtip canal: îmbogățit


• Subtip ambalaj: tub

Acest tranzistor este proiectat pentru a asigura o disipare termică eficientă și o performanță stabilă în circuite de putere, fiind potrivit pentru diverse aplicații industriale și electronice. Montajul THT și carcasa TO220-3 facilitează integrarea rapidă și sigură în proiecte.

Alege Tranzistorul N-MOSFET STripFET™ H6 40V 80A STMicroelectronics pentru o soluție durabilă și performantă, garantând eficiență și fiabilitate în orice sistem electronic.