Tranzistor N-MOSFET MDmesh™ 600V 52A STMicroelectronics - Performanță Ridicată

Tranzistor N-MOSFET MDmesh™ 600V 52A STMicroelectronics - Performanță Ridicată este componenta ideală pentru aplicații electronice ce necesită eficiență și fiabilitate superioară. Fabricat de STMicroelectronics, acest tranzistor oferă caracteristici tehnice avansate, potrivite pentru proiecte industriale și electronice complexe.

• Producător: STMicroelectronics


• Cod producător: STP18NM60N


• Tip tranzistor: N-MOSFET


• Tehnologie: MDmesh™


• Tensiune drenă-sursă: 600V


• Curent de drenă: 8,2A


• Curent de drenă în impuls: 52A


• Rezistenţă în timpul funcţionării: 0,285Ω


• Putere disipată: 110W


• Polarizare: unipolar


• Subtip canal: îmbogăţit


• Încărcătură poartă: 35nC


• Tensiune poartă-sursă: ±25V


• Montare: THT


• Carcasă: TO220-3


• Subtip ambalaj: tub

Acest tranzistor N-MOSFET este proiectat pentru a asigura performanțe ridicate în circuite de putere, oferind o disipare termică eficientă și o rezistență scăzută în timpul funcționării. Carcasa TO220-3 facilitează montarea și răcirea optimă, iar tehnologia MDmesh™ garantează o durabilitate crescută și o funcționare stabilă chiar și în condiții solicitante.

Ideal pentru utilizare în surse de alimentare, convertoare DC-DC, motoare electrice și alte aplicații industriale, tranzistorul STP18NM60N reprezintă o soluție performantă și fiabilă pentru proiectele electronice profesionale.