Tranzistor IGBT LUGUANG 650V 50A TO247 312W - Performanță Ridicată

Tranzistor IGBT LUGUANG 650V 50A TO247 312W - Performanță Ridicată este componenta ideală pentru aplicații electronice ce necesită eficiență și fiabilitate superioară. Fabricat de LUGUANG ELECTRONIC, acest tranzistor oferă caracteristici tehnice avansate, asigurând performanțe optime în circuite de putere.

• Tip tranzistor: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)


• Tensiune colector-emitor: 650V


• Curent de colector: 50A


• Curent de colector pulsat: 150A


• Putere disipată: 312W


• Timp activare: 62ns


• Timp dezactivare: 268ns


• Încărcătură poartă: 180nC


• Tensiunea poartă-emitor: ±20V


• Carcasă: TO247


• Montare: THT (Through-Hole Technology)


• Caracteristici elemente semiconductoare: integrated anti-parallel diode


• Subtip ambalaj: tub

Acest tranzistor IGBT este proiectat pentru a oferi o comutare rapidă și o disipare eficientă a căldurii, fiind potrivit pentru aplicații industriale, echipamente de putere și sisteme de control. Designul său robust și carcasa TO247 facilitează montarea și asigură durabilitate pe termen lung.

Cod producător: LGEGW50N65F1A