Tranzistor N-MOSFET STMicroelectronics 600V 8,19A 130W TO247
🔍 zoom- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Subtip ambalaj
- tub
- Tensiune drena sursa
- 600V
- Tensiune poarta sursa
- ±25V
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
- Putere disipata
- 130W
Tranzistor: N-MOSFET · unipolar · 600V · 8,19A · Idm: 52A · 130W · TO247
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Subtip ambalaj
- tub
- Tensiune drena sursa
- 600V
- Tensiune poarta sursa
- ±25V
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
- Putere disipata
- 130W
Specificații Tranzistor N-MOSFET STMicroelectronics 600V 8,19A 130W TO247
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | STMicroelectronics | |
| Montare | THT | |
| Polarizare | unipolar | |
| Subtip canal | îmbogăţit | |
| Subtip ambalaj | tub | |
| Tensiune drena sursa | 600V | |
| Tensiune poarta sursa | ±25V | |
| Tip tranzistor | N-MOSFET | |
| Putere disipata | 130W | |
| Carcasa | TO247 | |
| Incarcatura poarta | 34nC | |
| Rezistenta in timpul functionarii | 0,25Ω | |
| Curent de drena in impuls | 52A | |
| Curent drena | 8,19A |
Descriere Tranzistor N-MOSFET STMicroelectronics 600V 8,19A 130W TO247
Tranzistor N-MOSFET STMicroelectronics 600V 8,19A 130W TO247 este componenta ideală pentru aplicații electronice ce necesită performanță și fiabilitate ridicată. Fabricat de STMicroelectronics, acest tranzistor oferă caracteristici tehnice avansate, asigurând o funcționare optimă în circuite de putere.
- Tip tranzistor: N-MOSFET unipolar, canal îmbogățit
- Tensiune drenă-sursă: 600V
- Curent drenă continuu: 8,19A
- Curent de drenă în impuls: 52A
- Putere disipată: 130W
- Rezistență în timpul funcționării: 0,25Ω
- Tensiune poartă-sursă: ±25V
- Încărcătură poartă: 34nC
- Montare: THT (Through-Hole Technology)
- Carcasă: TO247, subtip ambalaj tub
Acest tranzistor N-MOSFET este potrivit pentru utilizarea în surse de alimentare, convertoare de putere, amplificatoare și alte aplicații industriale ce necesită comutare rapidă și eficiență energetică. Designul robust și caracteristicile tehnice fac din STW18NM60N o alegere excelentă pentru proiecte electronice profesionale.
Documentație Tranzistor N-MOSFET STMicroelectronics 600V 8,19A 130W TO247
Recenzii Tranzistor N-MOSFET STMicroelectronics 600V 8,19A 130W TO247
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse asociate(47)
