🔍 zoom- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Subtip ambalaj
- tub
- Tensiune drena sursa
- 600V
- Tensiune poarta sursa
- ±25V
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
- Putere disipata
- 170W
Tranzistor: N-MOSFET · MDmesh™ DM2 · unipolar · 600V · 14A · Idm: 84A
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Subtip ambalaj
- tub
- Tensiune drena sursa
- 600V
- Tensiune poarta sursa
- ±25V
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
- Putere disipata
- 170W
Specificații Tranzistor N-MOSFET MDmesh™ DM2 600V 14A STMicroelectronics
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | STMicroelectronics | |
| Montare | THT | |
| Polarizare | unipolar | |
| Subtip canal | îmbogăţit | |
| Subtip ambalaj | tub | |
| Tensiune drena sursa | 600V | |
| Tensiune poarta sursa | ±25V | |
| Tip tranzistor | N-MOSFET | |
| Putere disipata | 170W | |
| Carcasa | TO220-3 | |
| Curent drena | 14A | |
| Incarcatura poarta | 34nC | |
| Curent de drena in impuls | 84A | |
| Rezistenta in timpul functionarii | 0,16Ω | |
| Tehnologie | MDmesh™ DM2 |
Descriere Tranzistor N-MOSFET MDmesh™ DM2 600V 14A STMicroelectronics
Tranzistor N-MOSFET MDmesh™ DM2 600V 14A STMicroelectronics este componenta ideală pentru aplicații electronice ce necesită performanță și fiabilitate ridicată. Fabricat de STMicroelectronics, acest tranzistor oferă caracteristici tehnice avansate, potrivite pentru circuite de putere și comutare eficientă.
- Producător: STMicroelectronics
- Tip tranzistor: N-MOSFET
- Tehnologie: MDmesh™ DM2
- Carcasă: TO220-3
- Montare: THT (Through-Hole Technology)
- Subtip ambalaj: tub
- Curent drenă continuu: 14A
- Curent drenă în impuls: 84A
- Tensiune drenă-sursă: 600V
- Tensiune poartă-sursă: ±25V
- Rezistenţă în timpul funcţionării (Rds(on)): 0,16Ω
- Putere disipată: 170W
- Polarizare: unipolar
- Subtip canal: îmbogăţit
- Încărcătură poartă: 34nC
Acest tranzistor N-MOSFET este proiectat pentru a asigura o performanță optimă în circuite de putere, oferind o rezistență scăzută în timpul funcționării și o capacitate mare de disipare a puterii. Carcasa TO220-3 și montarea THT facilitează integrarea în diverse aplicații industriale și electronice.
Ideal pentru utilizare în surse de alimentare, convertoare DC-DC, motoare electrice și alte echipamente ce necesită comutare rapidă și eficientă, tranzistorul STP28N60DM2 garantează durabilitate și stabilitate în condiții de operare exigente.
Documentație Tranzistor N-MOSFET MDmesh™ DM2 600V 14A STMicroelectronics
Recenzii Tranzistor N-MOSFET MDmesh™ DM2 600V 14A STMicroelectronics
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse asociate(48)




