🔍 zoom- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Tensiune poarta sursa
- ±30V
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Subtip ambalaj
- tub
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
- Putere disipata
- 170W
- Carcasa
- TO220-3
Tranzistor: N-MOSFET · MDmesh™ K5 · unipolar · 950V · 7,6A · Idm: 48A
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Tensiune poarta sursa
- ±30V
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Subtip ambalaj
- tub
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
- Putere disipata
- 170W
- Carcasa
- TO220-3
Specificații Tranzistor N-MOSFET MDmesh™ K5 950V 7,6A STMicroelectronics
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | STMicroelectronics | |
| Montare | THT | |
| Polarizare | unipolar | |
| Tensiune poarta sursa | ±30V | |
| Subtip canal | îmbogăţit | |
| Subtip ambalaj | tub | |
| Tip tranzistor | N-MOSFET | |
| Putere disipata | 170W | |
| Carcasa | TO220-3 | |
| Tehnologie | MDmesh™ K5 | |
| Curent de drena in impuls | 48A | |
| Rezistenta in timpul functionarii | 0,5Ω | |
| Incarcatura poarta | 30nC | |
| Tensiune drena sursa | 950V | |
| Curent drena | 7,6A |
Descriere Tranzistor N-MOSFET MDmesh™ K5 950V 7,6A STMicroelectronics
Tranzistor N-MOSFET MDmesh™ K5 950V 7,6A STMicroelectronics este componenta ideală pentru aplicații ce necesită performanță ridicată și fiabilitate. Fabricat de STMicroelectronics, acest tranzistor oferă o combinație excelentă între putere și eficiență, fiind proiectat pentru montare prin găuri (THT) și ambalat în tub.
- Tip tranzistor: N-MOSFET
- Tehnologie: MDmesh™ K5
- Tensiune drenă-sursă: 950V
- Curent drenă continuu: 7,6A
- Curent de drenă în impuls: 48A
- Putere disipată: 170W
- Rezistenţă în timpul funcţionării (Rds(on)): 0,5Ω
- Tensiune poartă-sursă: ±30V
- Încărcătură poartă: 30nC
- Carcasă: TO220-3
- Montare: THT (Through-Hole Technology)
- Polarizare: unipolar
- Subtip canal: îmbogăţit
Acest tranzistor N-MOSFET este potrivit pentru circuite de putere, convertoare, surse de alimentare și alte aplicații industriale ce necesită comutare rapidă și eficientă. Designul robust și caracteristicile tehnice avansate asigură performanță optimă și durabilitate în condiții de lucru exigente.
Documentație Tranzistor N-MOSFET MDmesh™ K5 950V 7,6A STMicroelectronics
Recenzii Tranzistor N-MOSFET MDmesh™ K5 950V 7,6A STMicroelectronics
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse asociate(48)




