🔍 zoom- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Subtip ambalaj
- tub
- Tensiune drena sursa
- 600V
- Tensiune poarta sursa
- ±25V
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
- Carcasa
- TO220-3
Tranzistor: N-MOSFET · MDmesh™ M2 · unipolar · 600V · 16A · Idm: 104A
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Subtip ambalaj
- tub
- Tensiune drena sursa
- 600V
- Tensiune poarta sursa
- ±25V
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
- Carcasa
- TO220-3
Specificații Tranzistor N-MOSFET MDmesh™ M2 600V 16A STMicroelectronics
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | STMicroelectronics | |
| Montare | THT | |
| Polarizare | unipolar | |
| Subtip canal | îmbogăţit | |
| Subtip ambalaj | tub | |
| Tensiune drena sursa | 600V | |
| Tensiune poarta sursa | ±25V | |
| Tip tranzistor | N-MOSFET | |
| Carcasa | TO220-3 | |
| Putere disipata | 190W | |
| Curent drena | 16A | |
| Rezistenta in timpul functionarii | 0,125Ω | |
| Tehnologie | MDmesh™ M2 | |
| Curent de drena in impuls | 104A | |
| Incarcatura poarta | 45,5nC |
Descriere Tranzistor N-MOSFET MDmesh™ M2 600V 16A STMicroelectronics
Tranzistor N-MOSFET MDmesh™ M2 600V 16A STMicroelectronics este componenta ideală pentru aplicații electronice ce necesită performanță ridicată și fiabilitate. Fabricat de STMicroelectronics, acest tranzistor beneficiază de tehnologia avansată MDmesh™ M2, asigurând o eficiență energetică superioară și o disipare termică optimă.
- Tip tranzistor: N-MOSFET
- Tehnologie: MDmesh™ M2
- Tensiune drenă-sursă: 600V
- Curent drenă continuu: 16A
- Curent de drenă în impuls: 104A
- Rezistenţă în timpul funcţionării (Rds(on)): 0,125Ω
- Putere disipată: 190W
- Polarizare: unipolar
- Subtip canal: îmbogăţit
- Încărcătură poartă: 45,5nC
- Tensiune poartă-sursă: ±25V
- Montare: THT (Through-Hole Technology)
- Carcasă: TO220-3
- Subtip ambalaj: tub
Acest tranzistor este potrivit pentru aplicații industriale, surse de alimentare, convertoare și alte echipamente electronice ce solicită componente cu performanțe ridicate și durabilitate. Designul său robust și caracteristicile tehnice avansate îl fac o alegere excelentă pentru proiecte profesionale.
Documentație Tranzistor N-MOSFET MDmesh™ M2 600V 16A STMicroelectronics
Recenzii Tranzistor N-MOSFET MDmesh™ M2 600V 16A STMicroelectronics
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse asociate(48)




