🔍 zoomSpecificații cheie
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Tensiune poarta sursa
- ±30V
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Subtip ambalaj
- tub
- Tensiune drena sursa
- 600V
- Incarcatura poarta
- 43nC
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
Tranzistor: N-MOSFET · MDmesh™ DM2 · unipolar · 600V · 15,5A · Idm: 96A
În stocExpediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
45,00 RON / bucată
TVA inclus
37,19 RON / bucată (fără TVA)
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Tensiune poarta sursa
- ±30V
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Subtip ambalaj
- tub
- Tensiune drena sursa
- 600V
- Incarcatura poarta
- 43nC
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
Specificații Tranzistor N-MOSFET MDmesh™ DM2 600V 15,5A 96A STMicroelectronics
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | STMicroelectronics | |
| Montare | THT | |
| Polarizare | unipolar | |
| Tensiune poarta sursa | ±30V | |
| Subtip canal | îmbogăţit | |
| Subtip ambalaj | tub | |
| Tensiune drena sursa | 600V | |
| Incarcatura poarta | 43nC | |
| Tip tranzistor | N-MOSFET | |
| Carcasa | TO220-3 | |
| Putere disipata | 190W | |
| Rezistenta in timpul functionarii | 0,13Ω | |
| Tehnologie | MDmesh™ DM2 | |
| Curent drena | 15,5A | |
| Curent de drena in impuls | 96A |
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare
Descriere Tranzistor N-MOSFET MDmesh™ DM2 600V 15,5A 96A STMicroelectronics
Tranzistor N-MOSFET MDmesh™ DM2 600V 15,5A 96A STMicroelectronics este componenta ideală pentru aplicații ce necesită performanță ridicată și fiabilitate în comutare.
- Producător: STMicroelectronics
- Cod producător: STP33N60DM2
- Tip tranzistor: N-MOSFET
- Tehnologie: MDmesh™ DM2
- Tensiune drenă-sursă: 600V
- Curent drenă continuu: 15,5A
- Curent de drenă în impuls: 96A
- Rezistenţă în timpul funcţionării (Rds(on)): 0,13Ω
- Tensiune poartă-sursă: ±30V
- Încărcătură poartă: 43nC
- Putere disipată: 190W
- Montare: THT (Through-Hole Technology)
- Carcasă: TO220-3
- Polarizare: unipolar
- Subtip canal: îmbogăţit
- Subtip ambalaj: tub
Acest tranzistor N-MOSFET este proiectat pentru a asigura eficiență energetică și durabilitate în circuite de putere, fiind potrivit pentru aplicații industriale, surse de alimentare și control motoare. Designul său robust și tehnologia avansată MDmesh™ DM2 oferă performanțe superioare în comutare și disipare termică.
Documentație Tranzistor N-MOSFET MDmesh™ DM2 600V 15,5A 96A STMicroelectronics
Recenzii Tranzistor N-MOSFET MDmesh™ DM2 600V 15,5A 96A STMicroelectronics
Nicio recenzie încă. Fii primul care adaugă una!
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse asociate(48)
1 / 8
Stoc limitat
Fără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-108/1000/M
Radiator extrudat cu aripioare TO220
258,59RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine

SEIFERT ELECTRONICKL-108/1000/SW
Radiator extrudat cu aripioare TO220 negru
266,82RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine

SEIFERT ELECTRONICKL-129/1000/M
Radiator extrudat cu aripioare naturale 1m
442,41RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine

SEIFERT ELECTRONICKL-202/1000/M
Radiator extrudat U natural 1m
171,44RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine

SEIFERT ELECTRONICKL-202/1000/SW
Radiator extrudat negru pentru TO220
698,91RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine

SEIFERT ELECTRONICKL-208/1000/M
Radiator extrudat TO220, natural, 1m
202,08RON / bucTVA inclus