Tranzistor N-MOSFET STripFET™ F7 100V 120A STMicroelectronics

Tranzistor N-MOSFET STripFET™ F7 100V 120A STMicroelectronics este componenta ideală pentru aplicații ce necesită performanță ridicată și eficiență energetică superioară. Fabricat de STMicroelectronics, acest tranzistor oferă caracteristici tehnice avansate, potrivite pentru utilizare în circuite de putere și control.

• Producător: STMicroelectronics


• Cod producător: STP315N10F7


• Tip tranzistor: N-MOSFET


• Tehnologie: STripFET™ F7


• Tensiune drenă-sursă: 100V


• Curent drenă continuu: 120A


• Curent de drenă în impuls: 720A


• Rezistenţă în timpul funcţionării (Rds(on)): 2,7mΩ


• Putere disipată: 315W


• Polarizare: unipolar


• Subtip canal: îmbogăţit


• Încărcătură poartă: 180nC


• Tensiune poartă-sursă: ±20V


• Montare: THT


• Carcasă: TO220-3


• Subtip ambalaj: tub

Acest tranzistor N-MOSFET este proiectat pentru a asigura o disipare termică excelentă și o performanță optimă în aplicații industriale și electronice de putere. Carcasa TO220-3 facilitează montarea și răcirea eficientă, iar tehnologia STripFET™ F7 garantează o rezistență redusă și o comutare rapidă.

Ideal pentru circuite de control al motoarelor, surse de alimentare și alte aplicații ce necesită un tranzistor robust, cu performanțe ridicate și fiabilitate pe termen lung.