Tranzistor N-MOSFET VISHAY 600V 19A TO220AB - Performanță Ridicată

Tranzistor N-MOSFET VISHAY 600V 19A TO220AB - Performanță Ridicată este componenta ideală pentru aplicații electronice ce necesită fiabilitate și eficiență superioară. Fabricat de VISHAY, acest tranzistor oferă caracteristici tehnice avansate, potrivite pentru circuite de putere și control precis.

• Producător: VISHAY


• Cod producător: SIHP100N60E-GE3


• Tip tranzistor: N-MOSFET


• Subtip canal: Îmbogățit


• Putere disipată: 208W


• Curent drenă: 19A


• Curent de drenă în impuls: 73A


• Tensiune drenă-sursă: 600V


• Tensiune poartă-sursă: ±30V


• Rezistență în timpul funcționării: 0,1Ω


• Încărcătură poartă: 50nC


• Montare: THT


• Carcasă: TO220AB


• Polarizare: unipolar


• Subtip ambalaj: tub

Acest tranzistor N-MOSFET este proiectat pentru a asigura performanțe ridicate în aplicații industriale și electronice, oferind o disipare termică eficientă și o capacitate mare de curent. Carcasa TO220AB facilitează montarea și răcirea optimă, iar caracteristicile electrice îl recomandă pentru utilizarea în surse de alimentare, convertoare și alte echipamente electronice de putere.

Alege Tranzistorul N-MOSFET VISHAY 600V 19A TO220AB pentru o soluție durabilă și performantă în proiectele tale electronice.