🔍 zoomSpecificații cheie
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Subtip ambalaj
- tub
- Tensiune drena sursa
- 650V
- Tensiune poarta sursa
- ±25V
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
- Putere disipata
- 250W
Tranzistor: N-MOSFET · MDmesh™ M5 · unipolar · 650V · 26,5A · Idm: 168A
În stocExpediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
91,39 RON / bucată
TVA inclus
75,53 RON / bucată (fără TVA)
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Subtip ambalaj
- tub
- Tensiune drena sursa
- 650V
- Tensiune poarta sursa
- ±25V
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
- Putere disipata
- 250W
Specificații Tranzistor N-MOSFET MDmesh™ M5 650V 26,5A STMicroelectronics
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | STMicroelectronics | |
| Montare | THT | |
| Polarizare | unipolar | |
| Subtip canal | îmbogăţit | |
| Subtip ambalaj | tub | |
| Tensiune drena sursa | 650V | |
| Tensiune poarta sursa | ±25V | |
| Tip tranzistor | N-MOSFET | |
| Putere disipata | 250W | |
| Carcasa | TO220-3 | |
| Incarcatura poarta | 98nC | |
| Curent drena | 26,5A | |
| Rezistenta in timpul functionarii | 63mΩ | |
| Tehnologie | MDmesh™ M5 | |
| Curent de drena in impuls | 168A |
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare
Descriere Tranzistor N-MOSFET MDmesh™ M5 650V 26,5A STMicroelectronics
Tranzistor N-MOSFET MDmesh™ M5 650V 26,5A STMicroelectronics este componenta ideală pentru aplicații ce necesită performanță ridicată și eficiență energetică superioară. Fabricat de STMicroelectronics, acest tranzistor N-MOSFET cu tehnologie avansată MDmesh™ M5 oferă o tensiune maximă drenă-sursă de 650V și un curent de drenă continuu de 26,5A, asigurând o operare robustă în condiții exigente. Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 63mΩ, reduce pierderile de putere și crește eficiența circuitelor. Ambalat în tub și montat prin tehnologia THT, cu carcasă TO220-3, facilitează instalarea și disiparea termică eficientă, suportând o putere disipată de până la 250W. Curentul de drenă în impuls de 168A și încărcătura poartă de 98nC permit comutarea rapidă și stabilă, iar polarizarea unipolară și subtipul canalului îmbogățit asigură performanțe optime în diverse aplicații industriale și electronice. Tensiunea poartă-sursă de ±25V oferă protecție suplimentară și flexibilitate în proiectare. Acest N-MOSFET este soluția perfectă pentru circuite de putere, convertoare, surse de alimentare și control motoare, combinând fiabilitatea cu performanța de top.
Documentație Tranzistor N-MOSFET MDmesh™ M5 650V 26,5A STMicroelectronics
Recenzii Tranzistor N-MOSFET MDmesh™ M5 650V 26,5A STMicroelectronics
Nicio recenzie încă. Fii primul care adaugă una!
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse asociate(48)
1 / 8
Stoc limitat
Fără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-108/1000/M
Radiator extrudat cu aripioare TO220
258,59RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine

SEIFERT ELECTRONICKL-108/1000/SW
Radiator extrudat cu aripioare TO220 negru
266,82RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine

SEIFERT ELECTRONICKL-129/1000/M
Radiator extrudat cu aripioare naturale 1m
442,41RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine

SEIFERT ELECTRONICKL-202/1000/M
Radiator extrudat U natural 1m
171,44RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine

SEIFERT ELECTRONICKL-202/1000/SW
Radiator extrudat negru pentru TO220
698,91RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine

SEIFERT ELECTRONICKL-208/1000/M
Radiator extrudat TO220, natural, 1m
202,08RON / bucTVA inclus