🔍 zoomSpecificații cheie
- Subtip ambalaj
- rolă / bandă
- Polarizare
- unipolar
- Montare
- SMD
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Tensiune poarta sursa
- ±20V
- Tip tranzistor
- P-MOSFET
- Rezistenta in timpul functionarii
- 0,55Ω
- Carcasa
- SOT23
Tranzistor: P-MOSFET · unipolar · -20V · -0,4A · 0,225W · SOT23
În stocExpediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
1,51 RON / bucată
TVA inclus
1,25 RON / bucată (fără TVA)
Cantitate minimă comandă: 8 buc, în multipli de 8 buc.Valori valide: 8, 16, 24, …
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
- Subtip ambalaj
- rolă / bandă
- Polarizare
- unipolar
- Montare
- SMD
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Tensiune poarta sursa
- ±20V
- Tip tranzistor
- P-MOSFET
- Rezistenta in timpul functionarii
- 0,55Ω
- Carcasa
- SOT23
Specificații Tranzistor P-MOSFET ONSEMI NTR0202PLT1G -20V 0,4A SOT23
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | ONSEMI | |
| Subtip ambalaj | rolă / bandă | |
| Polarizare | unipolar | |
| Montare | SMD | |
| Subtip canal | îmbogăţit | |
| Tensiune poarta sursa | ±20V | |
| Tip tranzistor | P-MOSFET | |
| Rezistenta in timpul functionarii | 0,55Ω | |
| Carcasa | SOT23 | |
| Putere disipata | 0,225W | |
| Tensiune drena sursa | -20V | |
| Curent drena | -400mA | |
| Incarcatura poarta | 2,18nC |
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare
Descriere Tranzistor P-MOSFET ONSEMI NTR0202PLT1G -20V 0,4A SOT23
Tranzistor P-MOSFET ONSEMI NTR0202PLT1G -20V 0,4A SOT23 este un component semiconductor de înaltă performanță, ideal pentru aplicații cu montare SMD. Fabricat de ONSEMI, acest tranzistor P-MOSFET de tip îmbogățit oferă o tensiune drenă-sursă de -20V și un curent maxim de drenă de -400mA, asigurând o funcționare stabilă și eficientă. Carcasa compactă SOT23 și ambalajul în rolă sau bandă facilitează integrarea în circuite moderne. Cu o putere disipată de 0,225W și o rezistență în timpul funcționării de 0,55Ω, dispozitivul garantează performanță optimă în diverse aplicații electronice. Încărcătura poartă de 2,18nC și polarizarea unipolară completează caracteristicile tehnice, făcând din acest tranzistor o soluție fiabilă pentru proiecte ce necesită control precis al semnalului.
- Producător: ONSEMI
- Subtip ambalaj: rolă, bandă
- Putere disipată: 0,225W
- Montare: SMD
- Carcasă: SOT23
- Polarizare: unipolar
- Curent drenă: -400mA
- Tensiune drenă-sursă: -20V
- Tensiune poartă-sursă: ±20V
- Rezistenţă în timpul funcţionării: 0,55Ω
- Subtip canal: îmbogăţit
- Încărcătură poartă: 2,18nC
- Tip tranzistor: P-MOSFET
Documentație Tranzistor P-MOSFET ONSEMI NTR0202PLT1G -20V 0,4A SOT23
Recenzii Tranzistor P-MOSFET ONSEMI NTR0202PLT1G -20V 0,4A SOT23
Nicio recenzie încă. Fii primul care adaugă una!
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse asociate(9)
1 / 2
În stoc
Fără imagine

BERNSTEIN5-067-13
Pensetă ESD nemagnetică, vârf curbat
183,27RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine

BERNSTEIN5-068-13
Pensetă ESD trapezoidală, nemagnetică
183,27RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine

BERNSTEIN5-062-13
Pensetă îndoită 35° SMD ESD
142,47RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine

STATICTECSTST100201
Unealtă pentru îmbinare benzi SMD STATICTEC
1.115,27RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine

PIERGIACOMI5 SA ESD
Pensetă PIERGIACOMI ESD 110mm vârf ascuțit pentru precizie SMD
88,45RON / bucTVA inclus
Lipsă stocFără imagine

ANTISTAT029-1039
Unealtă pentru îmbinare benzi ANTISTAT
4.680,10RON / bucTVA inclus