Tranzistor N-MOSFET INFINEON IRF7313TRPBF 30V 6,5A 2W SO8 x2
Cod producător: IRF7313TRPBF
🔍 zoomSpecificații cheie
- Subtip ambalaj
- rolă
- Polarizare
- unipolar
- Montare
- SMD
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Tip tranzistor
- N-MOSFET x2
- Carcasa
- SO8
- Tensiune drena sursa
- 30V
- Putere disipata
- 2W
Tranzistor: N-MOSFET x2 · unipolar · 30V · 6,5A · 2W · SO8
În stocExpediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
11,19 RON / bucată
TVA inclus
9,25 RON / bucată (fără TVA)
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
- Subtip ambalaj
- rolă
- Polarizare
- unipolar
- Montare
- SMD
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Tip tranzistor
- N-MOSFET x2
- Carcasa
- SO8
- Tensiune drena sursa
- 30V
- Putere disipata
- 2W
Specificații Tranzistor N-MOSFET INFINEON IRF7313TRPBF 30V 6,5A 2W SO8 x2
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | INFINEON TECHNOLOGIES | |
| Subtip ambalaj | rolă | |
| Polarizare | unipolar | |
| Montare | SMD | |
| Subtip canal | îmbogăţit | |
| Tip tranzistor | N-MOSFET x2 | |
| Carcasa | SO8 | |
| Tensiune drena sursa | 30V | |
| Putere disipata | 2W | |
| Tehnologie | HEXFET® | |
| Curent drena | 6,5A |
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare
Descriere Tranzistor N-MOSFET INFINEON IRF7313TRPBF 30V 6,5A 2W SO8 x2
Tranzistor N-MOSFET INFINEON IRF7313TRPBF 30V 6,5A 2W SO8 x2 este un component semiconductor de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficiență energetică. Fabricat de INFINEON TECHNOLOGIES, acest tranzistor dispune de tehnologia HEXFET® care asigură o disipare termică optimă și o fiabilitate crescută.
Acest tranzistor dual N-MOSFET este conceput pentru montare SMD, fiind potrivit pentru circuite compacte și aplicații industriale sau electronice de putere. Carcasa SO8 asigură o integrare facilă pe plăci de circuit imprimat, iar caracteristicile electrice permit utilizarea în diverse echipamente ce necesită control precis al curentului și tensiunii.
- Producător: INFINEON TECHNOLOGIES
- Subtip ambalaj: rolă
- Putere disipată: 2W
- Montare: SMD
- Carcasă: SO8
- Polarizare: unipolar
- Curent drenă: 6,5A
- Tensiune drenă-sursă: 30V
- Subtip canal: îmbogăţit
- Tip tranzistor: N-MOSFET x2
- Tehnologie: HEXFET®
Acest tranzistor dual N-MOSFET este conceput pentru montare SMD, fiind potrivit pentru circuite compacte și aplicații industriale sau electronice de putere. Carcasa SO8 asigură o integrare facilă pe plăci de circuit imprimat, iar caracteristicile electrice permit utilizarea în diverse echipamente ce necesită control precis al curentului și tensiunii.
Documentație Tranzistor N-MOSFET INFINEON IRF7313TRPBF 30V 6,5A 2W SO8 x2
Recenzii Tranzistor N-MOSFET INFINEON IRF7313TRPBF 30V 6,5A 2W SO8 x2
Nicio recenzie încă. Fii primul care adaugă una!
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse asociate(8)
1 / 2
În stoc
Fără imagine
BERNSTEIN5-067-13
Pensetă ESD nemagnetică, vârf curbat
183,36RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
BERNSTEIN5-068-13
Pensetă ESD trapezoidală, nemagnetică
183,36RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
BERNSTEIN5-062-13
Pensetă îndoită 35° SMD ESD
142,51RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
FISCHER ELEKTRONIKFK 251 10 LF PAK
Radiator Cupru SMT 13x15x10mm 24K/W
9,61RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
PIERGIACOMI5 SA ESD
Pensetă PIERGIACOMI ESD 110mm vârf ascuțit pentru precizie SMD
88,50RON / bucTVA inclus
Lipsă stocFără imagine
BERNSTEIN5-060
Kit pensete SMD ESD cu etui, rezistent
856,35RON / bucTVA inclus