Tranzistor P-MOSFET TrenchFET® VISHAY SISS23DN-T1-GE3 -20V 50A Idm -200A

Tranzistor P-MOSFET TrenchFET® VISHAY SISS23DN-T1-GE3 -20V 50A Idm -200A este un component semiconductor de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficiență energetică. Fabricat de VISHAY, acest tranzistor utilizează tehnologia avansată TrenchFET® și dispune de un canal îmbogățit, oferind o rezistență în timpul funcționării de doar 4,5mΩ.

Carcasa PowerPAK® 1212-8 asigură o disipare termică optimă, cu o putere disipată de 36W, iar montarea SMD facilitează integrarea în circuite compacte. Tranzistorul suportă un curent de drenă continuu de -50A și un curent de drenă în impuls de până la -200A, cu o tensiune drenă-sursă de -20V și o tensiune poartă-sursă de ±8V. Polarizarea unipolară și încărcătura poartă de 300nC contribuie la performanțe stabile și fiabile.

Ambalajul în rolă și bandă este potrivit pentru procesele automate de asamblare. Acest P-MOSFET este soluția ideală pentru aplicații industriale și electronice ce necesită componente robuste și eficiente.

• Producător: VISHAY


• Subtip ambalaj: rolă, bandă


• Putere disipată: 36W


• Montare: SMD


• Carcasă: PowerPAK® 1212-8


• Curent de drenă în impuls: -200A


• Polarizare: unipolar


• Curent drenă: -50A


• Tensiune drenă-sursă: -20V


• Tensiune poartă-sursă: ±8V


• Rezistenţă în timpul funcţionării: 4,5mΩ


• Subtip canal: îmbogăţit


• Încărcătură poartă: 300nC


• Tip tranzistor: P-MOSFET


• Tehnologie: TrenchFET®