EMElectronicMag.ro
Fără imagine

Tranzistor P-MOSFET TrenchFET® VISHAY SISS23DN-T1-GE3 -20V 50A Idm -200A

Cod producător: SISS23DN-T1-GE3
Producător:VISHAY
În stoc
13,30 RON
TVA inclus
10,99 RON (fără TVA)

Tranzistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -50A; Idm: -200A

Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.

ProducătorVISHAY
Subtip-ambalajrolă / bandă
Polarizareunipolar
MontareSMD
Subtip-canalîmbogăţit
Putere-disipata36W
Incarcatura-poarta300nC
Tip-tranzistorP-MOSFET
Curent-drena-50A
Rezistenta-in-timpul-functionarii4,5mΩ
TehnologieTrenchFET®
Curent-de-drena-in-impuls-200A
Tensiune-poarta-sursa±8V
CarcasaPowerPAK® 1212-8
Tensiune-drena-sursa-20V
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare

Produse asociate(10)

1 / 2
Lipsă stoc
Fără imagineUnealtă pentru îmbinare benzi
ANTISTAT
Unealtă pentru îmbinare benzi
4.496,37RONTVA inclus
Lipsă stoc
Fără imagineKit Pensete SMD ESD cu Etui, Rezistent la Acizi
BERNSTEIN
Kit Pensete SMD ESD cu Etui, Rezistent la Acizi
804,32RONTVA inclus
În stoc
Fără imaginePensetă Nemagnetică cu Vârf Curbat SMD
BERNSTEIN
Pensetă Nemagnetică cu Vârf Curbat SMD
176,81RONTVA inclus
Stoc: 4
Fără imaginePensetă Nemagnetică Trapezoidală SMD ESD
BERNSTEIN
Pensetă Nemagnetică Trapezoidală SMD ESD
174,99RONTVA inclus
Lipsă stoc
Fără imaginePensetă vârfuri îndoite 35° SMD
BERNSTEIN
Pensetă vârfuri îndoite 35° SMD
132,48RONTVA inclus
Stoc: 1
Fără imagine
ANTISTAT
Unealtă pentru Îmbinare Benzi
2.844,96RONTVA inclus