🔍 zoom- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Subtip ambalaj
- tub
- Putere disipata
- 25W
- Tensiune drena sursa
- -100V
- Tensiune poarta sursa
- ±20V
- Tip tranzistor
- P-MOSFET
Tranzistor: P-MOSFET · unipolar · -100V · -3,1A · Idm: -12A · 25W
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Subtip ambalaj
- tub
- Putere disipata
- 25W
- Tensiune drena sursa
- -100V
- Tensiune poarta sursa
- ±20V
- Tip tranzistor
- P-MOSFET
Specificații Tranzistor P-MOSFET VISHAY IRFU9110PBF -100V 3,1A 25W Idm -12A
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | VISHAY | |
| Montare | THT | |
| Polarizare | unipolar | |
| Subtip canal | îmbogăţit | |
| Subtip ambalaj | tub | |
| Putere disipata | 25W | |
| Tensiune drena sursa | -100V | |
| Tensiune poarta sursa | ±20V | |
| Tip tranzistor | P-MOSFET | |
| Rezistenta in timpul functionarii | 1,2Ω | |
| Carcasa | IPAK / TO251 | |
| Incarcatura poarta | 8,7nC | |
| Curent de drena in impuls | -12A | |
| Curent drena | -3,1A |
Descriere Tranzistor P-MOSFET VISHAY IRFU9110PBF -100V 3,1A 25W Idm -12A
Tranzistor P-MOSFET VISHAY IRFU9110PBF -100V 3,1A 25W Idm -12A este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficientă. Fabricat de VISHAY, acest tranzistor P-MOSFET dispune de o tensiune maximă drenă-sursă de -100V și un curent de drenă continuu de -3,1A, cu un curent de drenă în impuls de -12A, asigurând o funcționare stabilă și fiabilă.
- Producător: VISHAY
- Subtip ambalaj: tub
- Putere disipată: 25W
- Montare: THT (Through-Hole Technology)
- Carcasă: IPAK, TO251
- Polarizare: unipolar
- Subtip canal: îmbogățit
- Rezistenţă în timpul funcţionării: 1,2Ω
- Încărcătură poartă: 8,7nC
- Tensiune poartă-sursă: ±20V
- Tip tranzistor: P-MOSFET
Datorită carcasei IPAK (TO251) și montării THT, acest tranzistor este ușor de integrat în circuite electronice diverse, fiind potrivit pentru aplicații industriale și de putere. Rezistența scăzută în timpul funcționării și încărcătura redusă a porții contribuie la eficiența energetică și la performanța optimă a dispozitivului.
Documentație Tranzistor P-MOSFET VISHAY IRFU9110PBF -100V 3,1A 25W Idm -12A
Documentația tehnică nu e disponibilă pentru acest produs.
Recenzii Tranzistor P-MOSFET VISHAY IRFU9110PBF -100V 3,1A 25W Idm -12A
- Claudiu✓ Achiziție verificată★★★★★03 iulie 2026
Ma bucur ca exista acest site. Produsele sunt bune. Totusi uneori dureaza prea mult intre comanda si confirmare stoc. In rest sunt multumit.
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse similare











