🔍 zoom- Montare
- THT
- Tensiunea poarta emitor
- ±20V
- Curent de colector pulsat
- 40A
- Subtip ambalaj
- tub
- Tip tranzistor
- IGBT
- Caracteristici elemente semiconductoare
- integrated anti-parallel diode
- Curent de colector
- 10A
- Tensiune colector emitator
- 600V
Tranzistor: IGBT · 600V · 10A · 30W · TO220FP
- Montare
- THT
- Tensiunea poarta emitor
- ±20V
- Curent de colector pulsat
- 40A
- Subtip ambalaj
- tub
- Tip tranzistor
- IGBT
- Caracteristici elemente semiconductoare
- integrated anti-parallel diode
- Curent de colector
- 10A
- Tensiune colector emitator
- 600V
Specificații Tranzistor IGBT STMicroelectronics STGF10H60DF 600V 10A TO220FP
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | STMicroelectronics | |
| Montare | THT | |
| Tensiunea poarta emitor | ±20V | |
| Curent de colector pulsat | 40A | |
| Subtip ambalaj | tub | |
| Tip tranzistor | IGBT | |
| Caracteristici elemente semiconductoare | integrated anti-parallel diode | |
| Curent de colector | 10A | |
| Tensiune colector emitator | 600V | |
| Carcasa | TO220FP | |
| Putere disipata | 30W | |
| Incarcatura poarta | 57nC |
Descriere Tranzistor IGBT STMicroelectronics STGF10H60DF 600V 10A TO220FP
Tranzistor IGBT STMicroelectronics STGF10H60DF 600V 10A TO220FP este un component semiconductor de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficiență ridicată. Fabricat de STMicroelectronics, acest tranzistor IGBT dispune de o carcasă TO220FP, potrivită pentru montare prin tehnologia THT, asigurând o disipare termică optimă de 30W.
- Producător: STMicroelectronics
- Subtip ambalaj: tub
- Putere disipată: 30W
- Montare: THT
- Carcasă: TO220FP
- Caracteristici elemente semiconductoare: diode integrate anti-paralel
- Curent de colector pulsat: 40A
- Tensiunea poartă - emitor: ±20V
- Curent de colector: 10A
- Tensiune colector-emiţător: 600V
- Încărcătură poartă: 57nC
- Tip tranzistor: IGBT
Acest tranzistor este ideal pentru aplicații industriale și electronice ce necesită control precis al puterii și fiabilitate în condiții de sarcină ridicată. Datorită diodei anti-paralel integrate, oferă protecție suplimentară și performanțe îmbunătățite în circuite de comutare.
Documentație Tranzistor IGBT STMicroelectronics STGF10H60DF 600V 10A TO220FP
Documentația tehnică nu e disponibilă pentru acest produs.
Recenzii Tranzistor IGBT STMicroelectronics STGF10H60DF 600V 10A TO220FP
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse asociate(48)




