🔍 zoomSpecificații cheie
- Subtip ambalaj
- rolă / bandă
- Tensiunea poarta emitor
- ±20V
- Montare
- SMD
- Putere disipata
- 75W
- Tip tranzistor
- IGBT
- Tensiune colector emitator
- 1,2kV
- Curent de colector
- 5A
- Carcasa
- DPAK
Tranzistor: IGBT · 1,2kV · 5A · 75W · DPAK
Lipsă stocExpediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
23,55 RON / bucată
TVA inclus
19,46 RON / bucată (fără TVA)
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
- Subtip ambalaj
- rolă / bandă
- Tensiunea poarta emitor
- ±20V
- Montare
- SMD
- Putere disipata
- 75W
- Tip tranzistor
- IGBT
- Tensiune colector emitator
- 1,2kV
- Curent de colector
- 5A
- Carcasa
- DPAK
Specificații Tranzistor IGBT STMicroelectronics 1,2kV 5A 75W DPAK STGD5NB120SZT4
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | STMicroelectronics | |
| Subtip ambalaj | rolă / bandă | |
| Tensiunea poarta emitor | ±20V | |
| Montare | SMD | |
| Putere disipata | 75W | |
| Tip tranzistor | IGBT | |
| Tensiune colector emitator | 1,2kV | |
| Curent de colector | 5A | |
| Carcasa | DPAK | |
| Caracteristici elemente semiconductoare | internally clamped | |
| Curent de colector pulsat | 10A |
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare
Descriere Tranzistor IGBT STMicroelectronics 1,2kV 5A 75W DPAK STGD5NB120SZT4
Tranzistor IGBT STMicroelectronics 1,2kV 5A 75W DPAK STGD5NB120SZT4 este un component semiconductor de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficiență energetică. Fabricat de STMicroelectronics, acest tranzistor IGBT dispune de o tensiune colector-emitor de 1,2 kV și un curent de colector de 5A, cu un curent pulsat maxim de 10A, asigurând o putere disipată de 75W. Montarea se realizează prin tehnologia SMD, iar carcasele DPAK oferă o soluție compactă și fiabilă. Caracteristica „internally clamped” contribuie la protecția internă a dispozitivului, sporind durabilitatea și stabilitatea în funcționare. Tensiunea poartă-emitor de ±20V permite un control precis al comutării. Ambalarea în rolă și bandă facilitează integrarea în procesele automate de asamblare.
Caracteristici principale:
Caracteristici principale:
- Producător: STMicroelectronics
- Tip tranzistor: IGBT
- Tensiune colector-emiţător: 1,2 kV
- Curent de colector: 5 A
- Curent de colector pulsat: 10 A
- Putere disipată: 75 W
- Tensiune poartă-emitor: ±20 V
- Montare: SMD
- Carcasă: DPAK
- Caracteristici elemente semiconductoare: internally clamped
- Subtip ambalaj: rolă, bandă
Documentație Tranzistor IGBT STMicroelectronics 1,2kV 5A 75W DPAK STGD5NB120SZT4
Documentația tehnică nu e disponibilă pentru acest produs.
Recenzii Tranzistor IGBT STMicroelectronics 1,2kV 5A 75W DPAK STGD5NB120SZT4
Nicio recenzie încă. Fii primul care adaugă una!
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse asociate(12)
1 / 2
În stoc
Fără imagine

BERNSTEIN5-067-13
Pensetă ESD nemagnetică, vârf curbat
183,36RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine

BERNSTEIN5-068-13
Pensetă ESD trapezoidală, nemagnetică
183,36RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine

BERNSTEIN5-062-13
Pensetă îndoită 35° SMD ESD
142,51RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine

FISCHER ELEKTRONIKFK 244 13 D PAK
Radiator presat TO252 cupru 25K/W
11,89RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine

FISCHER ELEKTRONIKFK 251 10 LF PAK
Radiator Cupru SMT 13x15x10mm 24K/W
9,61RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine

FISCHER ELEKTRONIKFK24408DPAK
Radiator presat cupru TO252 8x23x10mm 31,5K/W
12,00RON / bucTVA inclus