Tranzistor IGBT Toshiba GT50JR21 600V 49A 230W TO3PN
Cod producător: GT50JR21(STA1,E,S)Cod produs: GT50JR21
🔍 zoomSpecificații cheie
- Montare
- THT
- Subtip ambalaj
- tub
- Tip tranzistor
- IGBT
- Curent de colector pulsat
- 100A
- Caracteristici elemente semiconductoare
- integrated anti-parallel diode
- Tensiune colector emitator
- 600V
- Timp dezactivare
- 720ns
- Tensiunea poarta emitor
- ±25V
Tranzistor: IGBT · 600V · 49A · 230W · TO3PN
În stocExpediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
53,72 RON / bucată
TVA inclus
44,40 RON / bucată (fără TVA)
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
- Montare
- THT
- Subtip ambalaj
- tub
- Tip tranzistor
- IGBT
- Curent de colector pulsat
- 100A
- Caracteristici elemente semiconductoare
- integrated anti-parallel diode
- Tensiune colector emitator
- 600V
- Timp dezactivare
- 720ns
- Tensiunea poarta emitor
- ±25V
Specificații Tranzistor IGBT Toshiba GT50JR21 600V 49A 230W TO3PN
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | TOSHIBA | |
| Montare | THT | |
| Subtip ambalaj | tub | |
| Tip tranzistor | IGBT | |
| Curent de colector pulsat | 100A | |
| Caracteristici elemente semiconductoare | integrated anti-parallel diode | |
| Tensiune colector emitator | 600V | |
| Timp dezactivare | 720ns | |
| Tensiunea poarta emitor | ±25V | |
| Putere disipata | 230W | |
| Carcasa | TO3PN | |
| Curent de colector | 49A | |
| Timp activare | 430ns |
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare
Descriere Tranzistor IGBT Toshiba GT50JR21 600V 49A 230W TO3PN
Tranzistor IGBT Toshiba GT50JR21 600V 49A 230W TO3PN este un component semiconductor de înaltă performanță, ideal pentru aplicații industriale și electronice ce necesită comutare rapidă și eficientă. Fabricat de TOSHIBA, acest tranzistor dispune de o carcasă robustă TO3PN și este livrat în ambalaj tip tub, facilitând montarea prin tehnologia THT.
Caracteristici principale:
Acest tranzistor IGBT Toshiba GT50JR21 oferă un echilibru optim între performanță și fiabilitate, fiind potrivit pentru circuite de putere, invertoare și alte aplicații ce necesită control precis al curentului și tensiunii.
Caracteristici principale:
- Producător: TOSHIBA
- Subtip ambalaj: tub
- Putere disipată: 230W
- Montare: THT
- Carcasă: TO3PN
- Caracteristici elemente semiconductoare: integrated anti-parallel diode
- Curent de colector pulsat: 100A
- Tensiunea poartă - emitor: ±25V
- Curent de colector: 49A
- Timp activare: 430ns
- Tensiune colector-emitor: 600V
- Tip tranzistor: IGBT
- Timp dezactivare: 720ns
Acest tranzistor IGBT Toshiba GT50JR21 oferă un echilibru optim între performanță și fiabilitate, fiind potrivit pentru circuite de putere, invertoare și alte aplicații ce necesită control precis al curentului și tensiunii.
Documentație Tranzistor IGBT Toshiba GT50JR21 600V 49A 230W TO3PN
Documentația tehnică nu e disponibilă pentru acest produs.
Recenzii Tranzistor IGBT Toshiba GT50JR21 600V 49A 230W TO3PN
Nicio recenzie încă. Fii primul care adaugă una!
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse asociate(48)
1 / 8
Stoc limitat
Fără imagine
FISCHER ELEKTRONIKSK 60 1000 AL
Radiator cu aripioare TO3, aluminiu
482,09RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
FISCHER ELEKTRONIKSK 456 60 3 X M3 L
Radiator extrudat cu aripioare 40mm
85,33RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
STONECOLDHS-201
Radiator Negru Extrudat TO3 100x102x25mm
51,86RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
FISCHER ELEKTRONIKSK 484 50 SA
Radiator extrudat negru 50mm
63,88RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
Advanced Thermal SolutionsATS-PCBT1089
Radiator extrudat negru U 64x64x23.3mm
38,90RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
Advanced Thermal SolutionsATS-PCBT1088
Radiator U negru extrudat TO3
28,29RON / bucTVA inclus