ONSEMI FDB0190N807L Tranzistor N-MOSFET ONSEMI FDB0190N807L 80V 190A 250W D2PAK-6

Tranzistor N-MOSFET ONSEMI FDB0190N807L 80V 190A 250W D2PAK-6

Tranzistorul N-MOSFET ONSEMI FDB0190N807L este proiectat pentru aplicații ce necesită performanță ridicată și fiabilitate. Cu o tensiune drenă-sursă de 80V și un curent de drenă de 190A, acest component suportă sarcini electrice intense, fiind ideal pentru circuite de putere.

• Producător: ONSEMI


• Tip tranzistor: N-MOSFET


• Subtip canal: Îmbogățit


• Putere disipată: 250W


• Curent de drenă în impuls: 1,44kA


• Rezistență în timpul funcționării: 4,3mΩ


• Tensiune poartă-sursă: ±20V


• Încărcătură poartă: 249nC


• Polarizare: Unipolar


• Montare: SMD


• Carcasă: D2PAK-6


• Subtip ambalaj: rolă, bandă

Ambalajul în rolă și bandă facilitează integrarea în procesele automate de asamblare. Carcasa D2PAK-6 asigură o disipare termică eficientă, iar caracteristicile electrice avansate îl recomandă pentru utilizarea în surse de alimentare, convertoare și alte echipamente electronice de putere.