Tranzistor IGBT INFINEON 650V 80A TO247-3 IKW75N65ES5XKSA1

Tranzistorul IGBT INFINEON 650V 80A TO247-3 IKW75N65ES5XKSA1 este o componentă semiconductoră de înaltă performanță, proiectată pentru aplicații industriale ce necesită comutare rapidă și eficiență energetică superioară. Fabricat de INFINEON TECHNOLOGIES, acest tranzistor beneficiază de tehnologia avansată TRENCHSTOP™ 5, asigurând o disipare a puterii de 197W și o capacitate de curent de colector de până la 80A, cu un curent pulsat maxim de 300A.

• Producător: INFINEON TECHNOLOGIES


• Subtip ambalaj: tub


• Putere disipată: 197W


• Montare: THT


• Carcasă: TO247-3


• Caracteristici elemente semiconductoare: integrated anti-parallel diode


• Curent de colector pulsat: 300A


• Tensiunea poartă - emitor: ±20V


• Curent de colector: 80A


• Timp activare: 86ns


• Tensiune colector-emiţător: 650V


• Încărcătură poartă: 164nC


• Tip tranzistor: IGBT


• Timp dezactivare: 185ns


• Tehnologie: TRENCHSTOP™ 5

Datorită carcasei TO247-3 și montării THT, acest tranzistor este ideal pentru integrarea în circuite de putere, oferind stabilitate termică și performanță optimă. Elementul semiconductor include o diodă anti-paralel integrată, facilitând protecția și fiabilitatea în aplicații de comutare rapidă.

Tranzistorul IKW75N65ES5XKSA1 este soluția perfectă pentru echipamente industriale, invertori, surse de alimentare și alte aplicații ce necesită comutare eficientă la tensiuni înalte și curenți mari.