EMElectronicMag.ro
Tranzistor N-MOSFET YANGJIE TECHNOLOGY 60V 56A SMD TO252

Tranzistor N-MOSFET YANGJIE TECHNOLOGY 60V 56A SMD TO252

Cod producător: YJD80G06A
Referință: YJD80G06A-YAN
Producător:YANGJIE TECHNOLOGY
În stoc
3,33 RON
TVA inclus
2,75 RON (fără TVA)

Tranzistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 56A; 42,5W

Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.

ProducătorYANGJIE TECHNOLOGY
Subtip-ambalajrolă / bandă
Polarizareunipolar
MontareSMD
Subtip-canalîmbogăţit
Curent-de-drena-in-impuls240A
Tip-tranzistorN-MOSFET
Rezistenta-in-timpul-functionarii11mΩ
Tensiune-drena-sursa60V
Tensiune-poarta-sursa±20V
Incarcatura-poarta31nC
Curent-drena56A
CarcasaTO252
TehnologieSPLIT GATE TRENCH
Putere-disipata42,5W
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare

Produse asociate(19)

1 / 4
Lipsă stoc
Fără imagineUnealtă pentru îmbinare benzi
ANTISTAT
Unealtă pentru îmbinare benzi
4.496,37RONTVA inclus
Lipsă stoc
Fără imagineKit Pensete SMD ESD cu Etui, Rezistent la Acizi
BERNSTEIN
Kit Pensete SMD ESD cu Etui, Rezistent la Acizi
804,32RONTVA inclus
În stoc
Fără imaginePensetă Nemagnetică cu Vârf Curbat SMD
BERNSTEIN
Pensetă Nemagnetică cu Vârf Curbat SMD
176,81RONTVA inclus
Stoc: 4
Fără imaginePensetă Nemagnetică Trapezoidală SMD ESD
BERNSTEIN
Pensetă Nemagnetică Trapezoidală SMD ESD
174,99RONTVA inclus
Lipsă stoc
Fără imaginePensetă vârfuri îndoite 35° SMD
BERNSTEIN
Pensetă vârfuri îndoite 35° SMD
132,48RONTVA inclus
Stoc: 1
Fără imagine
ANTISTAT
Unealtă pentru Îmbinare Benzi
2.844,96RONTVA inclus