EMElectronicMag.ro
Tranzistor N-MOSFET VISHAY 30V 30A SMD PowerPAK SO8 TrenchFET

Tranzistor N-MOSFET VISHAY 30V 30A SMD PowerPAK SO8 TrenchFET

Cod producător: SIRA28BDP-T1-GE3
Producător:VISHAY
În stoc
7,26 RON
TVA inclus
6,00 RON (fără TVA)

Tranzistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 90A; 11W

Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.

ProducătorVISHAY
Subtip-ambalajrolă / bandă
Polarizareunipolar
MontareSMD
Subtip-canalîmbogăţit
Curent-drena30A
Tip-tranzistorN-MOSFET
Putere-disipata11W
Curent-de-drena-in-impuls90A
Rezistenta-in-timpul-functionarii12mΩ
Tensiune-drena-sursa30V
TehnologieTrenchFET®
CarcasaPowerPAK® SO8
Incarcatura-poarta14nC
Tensiune-poarta-sursa-16...20V
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare

Produse asociate(10)

1 / 2
Lipsă stoc
Fără imagineUnealtă pentru îmbinare benzi
ANTISTAT
Unealtă pentru îmbinare benzi
4.496,37RONTVA inclus
Lipsă stoc
Fără imagineKit Pensete SMD ESD cu Etui, Rezistent la Acizi
BERNSTEIN
Kit Pensete SMD ESD cu Etui, Rezistent la Acizi
804,32RONTVA inclus
În stoc
Fără imaginePensetă Nemagnetică cu Vârf Curbat SMD
BERNSTEIN
Pensetă Nemagnetică cu Vârf Curbat SMD
176,81RONTVA inclus
Stoc: 4
Fără imaginePensetă Nemagnetică Trapezoidală SMD ESD
BERNSTEIN
Pensetă Nemagnetică Trapezoidală SMD ESD
174,99RONTVA inclus
Lipsă stoc
Fără imaginePensetă vârfuri îndoite 35° SMD
BERNSTEIN
Pensetă vârfuri îndoite 35° SMD
132,48RONTVA inclus
Stoc: 1
Fără imagine
ANTISTAT
Unealtă pentru Îmbinare Benzi
2.844,96RONTVA inclus