EMElectronicMag.ro
Fără imagine

VISHAY Tranzistor N-MOSFET TrenchFET® 20V 169A SMD PowerPAK® 1212-8

Cod producător: SISS80DN-T1-GE3
Producător:VISHAY
În stoc
20,96 RON
TVA inclus
17,32 RON (fără TVA)

Tranzistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 169A; Idm: 300A

Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.

ProducătorVISHAY
Subtip-ambalajrolă / bandă
Polarizareunipolar
MontareSMD
Curent-de-drena-in-impuls300A
Subtip-canalîmbogăţit
Putere-disipata42W
Tip-tranzistorN-MOSFET
Incarcatura-poarta122nC
Tensiune-drena-sursa20V
Rezistenta-in-timpul-functionarii3mΩ
TehnologieTrenchFET®
CarcasaPowerPAK® 1212-8
Curent-drena169A
Tensiune-poarta-sursa-8...12V
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare

Produse asociate(11)

1 / 2
Lipsă stoc
Fără imagineUnealtă pentru îmbinare benzi
ANTISTAT
Unealtă pentru îmbinare benzi
4.496,37RONTVA inclus
Lipsă stoc
Fără imagineKit Pensete SMD ESD cu Etui, Rezistent la Acizi
BERNSTEIN
Kit Pensete SMD ESD cu Etui, Rezistent la Acizi
804,32RONTVA inclus
În stoc
Fără imaginePensetă Nemagnetică cu Vârf Curbat SMD
BERNSTEIN
Pensetă Nemagnetică cu Vârf Curbat SMD
176,81RONTVA inclus
Stoc: 4
Fără imaginePensetă Nemagnetică Trapezoidală SMD ESD
BERNSTEIN
Pensetă Nemagnetică Trapezoidală SMD ESD
174,99RONTVA inclus
Lipsă stoc
Fără imaginePensetă vârfuri îndoite 35° SMD
BERNSTEIN
Pensetă vârfuri îndoite 35° SMD
132,48RONTVA inclus
Stoc: 1
Fără imagine
ANTISTAT
Unealtă pentru Îmbinare Benzi
2.844,96RONTVA inclus