Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 46A 130W TO247 SMC DIODE SOLUTIONS

Tranzistorul N-MOSFET SiC 1,2kV 46A 130W TO247 de la SMC DIODE SOLUTIONS este soluția ideală pentru aplicații industriale și de putere ce necesită performanță ridicată și fiabilitate sporită. Fabricat folosind tehnologia avansată Silicon Carbide (SiC), acest dispozitiv asigură o eficiență energetică superioară și o disipare termică optimă, suportând o putere disipată de până la 130W. Cu o tensiune drenă-sursă de 1,2kV și un curent de drenă continuu de 46A, tranzistorul este proiectat pentru sarcini exigente, inclusiv conversie de energie, surse de alimentare și motoare electrice. Carcasa robustă TO247-3 și montarea prin tehnologia THT asigură o integrare facilă și stabilitate mecanică în diverse configurații. Rezistența în timpul funcționării de doar 50mΩ minimizează pierderile, în timp ce curentul de drenă în impuls de 223A permite gestionarea sarcinilor variabile cu vârfuri mari. Polarizarea unipolară și subtipul canalului îmbogățit conferă un control precis al comutării, însoțit de o încărcătură poartă de 143nC, iar tensiunea poartă-sursă variabilă între -4V și 18V asigură flexibilitate în proiectare. Ideal pentru ingineri și integratori ce caută un N-MOSFET performant, durabil și eficient, acest produs oferă un raport excelent între performanță, fiabilitate și cost.