Tranzistor N-MOSFET STMicroelectronics 650V 28A TO247 THT

Tranzistorul N-MOSFET STMicroelectronics 650V 28A TO247 THT reprezintă o soluție performantă și durabilă, fabricată de liderul în semiconductor STMicroelectronics. Acest dispozitiv în carcasă TO247, cu montare prin găuri (THT), oferă o putere disipată de până la 417W, asigurând o eficiență ridicată în aplicații ce necesită gestionarea unor curenți mari. Cu un curent de drenă de 28A și o tensiune maximă drenă-sursă de 650V, tranzistorul garantează performanțe stabile și siguranță în funcționare. Polarizarea unipolară și tehnologia avansată MDmesh™ optimizează comutarea și reduc pierderile, în timp ce rezistența internă de doar 90mΩ minimizează disiparea de căldură și îmbunătățește eficiența energetică. Subtipul canalului îmbogățit și tensiunea poartă-sursă de ±30V conferă flexibilitate și control precis al semnalului. Ambalajul tip tub asigură o protecție sigură și facilitează manipularea. Acest N-MOSFET este proiectat să ofere o combinație ideală între durabilitate, performanță și fiabilitate în diverse aplicații electronice.