Tranzistor IGBT IXYS GenX3™ 1,2kV 30A TO263 SMD 300W

Tranzistorul IGBT IXYS GenX3™ 1,2kV 30A TO263 SMD 300W reprezintă o soluție avansată pentru aplicații de putere ridicată, combinând tehnologia de vârf GenX3™ cu o construcție robustă și eficientă. Fabricat de IXYS, acest dispozitiv dispune de o carcasă TO263, ideală pentru montare SMD, asigurând o disipare termică optimă de până la 300W. Cu un curent de colector continuu de 30A și un curent pulsat de 150A, tranzistorul oferă performanțe stabile și fiabile în condiții exigente.

Tensiunea maximă colector-emitor de 1,2kV permite operarea în regimuri de înaltă tensiune, în timp ce tensiunea poartă-emitor suportată este de ±20V, garantând protecție și stabilitate în comutare. Timpul de activare rapid, de 56ns, combinat cu un timp de dezactivare de 471ns, optimizează eficiența și reduce pierderile comutatoare. Încărcătura poartă de 87nC contribuie la un control precis al comutării.

Acest IGBT este proiectat pe tehnologia PT, oferind o soluție durabilă și performantă pentru diverse aplicații electronice. Subtipul ambalajului în tub facilitează manipularea și integrarea în procesele de producție. Tranzistorul IXYS GenX3™ 1,2kV 30A TO263 SMD 300W combină performanța cu fiabilitatea, fiind un component esențial pentru sisteme electronice de înaltă eficiență.