Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 29,6A TO-247 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Tranzistorul N-MOSFET SiC 1,2kV 29,6A în carcasă TO-247-4, produs de ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR, oferă performanțe superioare datorită tehnologiei avansate Silicon Carbide (SiC). Cu o tensiune maximă drenă-sursă de 1,2 kV și un curent de drenă continuu de 29,6 A, acest dispozitiv asigură funcționare stabilă în condiții exigente. Puterea disipată de 187,5 W și curentul de drenă în impuls de 85 A permit gestionarea eficientă a sarcinilor mari. Rezistența în timpul funcționării de doar 90 mΩ reduce pierderile și crește eficiența energetică. Polarizarea unipolară și tensiunea poartă-sursă variabilă între -5 V și 15 V facilitează controlul precis al dispozitivului. Încărcătura poartă de 62,3 nC și subtipul canalului îmbogățit contribuie la optimizarea răspunsului tranzistorului. Montarea prin tehnologia THT în ambalaj tip tub și carcasa robustă TO-247-4 asigură durabilitate și disipare termică eficientă. Ideal pentru aplicații ce necesită fiabilitate și performanțe ridicate în domeniul electronicii de putere.