Tranzistor N-MOSFET SiC 900V 32A TO-247 ONSEMI

Tranzistorul N-MOSFET SiC 900V 32A în carcasă TO-247 de la ONSEMI este o soluție avansată, caracterizată prin performanțe ridicate și fiabilitate superioară. Fabricat cu tehnologie Silicon Carbide (SiC), acest dispozitiv suportă o tensiune drenă-sursă de 900V și un curent continuu de drenă de 32A, oferind o disipare a puterii de până la 110W. Curentul de drenă în impuls atinge 184A, iar rezistența în timpul funcționării este extrem de redusă, de doar 60mΩ, asigurând eficiență și minimizarea pierderilor. Ambalajul sub formă de tub și montarea prin tehnologia THT facilitează integrarea rapidă în diverse aplicații. Subtipul canalului este îmbogățit, iar polarizarea este unipolară, cu o tensiune poartă-sursă variabilă între -10V și 20V. Încărcătura poartă este de 87nC, optimizând controlul comutării. Carcasa TO-247-3 oferă o bună disipare termică și protecție mecanică, perfectă pentru aplicații ce necesită performanță ridicată și durabilitate. Acest N-MOSFET ONSEMI este ideal pentru utilizatorii care caută un component robust, eficient și de ultimă generație în domeniul semiconductorilor de putere.