Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 39A 454W EVERLIGHT TO247-3 THT

Tranzistorul N-MOSFET EVERLIGHT SiC cu o tensiune drenă-sursă de 1,2 kV și un curent de drenă nominal de 39 A oferă performanțe remarcabile în aplicații ce solicită comutare rapidă și eficiență ridicată. Conceput în tehnologie carbura de siliciu (SiC), dispozitivul beneficiază de o rezistență internă redusă de 0,1 Ω în timpul funcționării, asigurând disiparea termică optimă de 454 W. Carcasa TO247-3 în format tub (THT) facilitează montarea și integrarea în circuite cu cerințe termice și mecanice ridicate. Cu un curent de drenă în impuls de 171 A și o polarizare unipolară, tranzistorul dispune de o tensiune poartă-sursă variabilă între -4 V și 18 V, iar încărcătura poartă este de 115 nC, ceea ce optimizează controlul rapid și precis al comutării. Subtipul canalului îmbogățit completează caracteristicile tehnice ale acestui N-MOSFET robust, ideal pentru implementări ce necesită fiabilitate și performanță superioară. Marca EVERLIGHT garantează calitatea și durabilitatea produsului în condiții exigente de operare.