Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 39A TO-247 EVERLIGHT

Tranzistorul N-MOSFET SiC 1,2kV 39A TO-247 EVERLIGHT reprezintă o soluție avansată pentru aplicații ce necesită performanțe ridicate și fiabilitate crescută. Fabricat de EVERLIGHT, acest dispozitiv beneficiază de tehnologia semiconductorilor pe bază de carbura de siliciu (SiC), care asigură o disipare termică superioară și o rezistență scăzută în timpul funcționării, de doar 0,1Ω. Ambalat în tub cu montare THT și carcasă TO247-4, tranzistorul suportă un curent de drenă continuu de 39A și un curent de drenă în impuls de până la 171A, fiind proiectat cu un terminal Kelvin pentru o performanță optimizată. Tensiunea maximă între drenă și sursă este de 1,2kV, iar domeniul de tensiune poartă-sursă variază între -4 și 18V, facilitând o polarizare unipolară și un control precis. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă este de 115nC, caracteristici ce contribuie la o comutare rapidă și eficientă. Cu o putere disipată de 454W, acest N-MOSFET este ideal pentru aplicații ce solicită durabilitate și performanță în condiții exigente.