EVERLIGHT Tranzistor N-MOSFET SiC 650V 110A TO247-4-TSC THT

Tranzistorul N-MOSFET EVERLIGHT SiC 650V 110A, ambalat în tub cu carcasă TO247-4-TSC, oferă performanțe superioare datorită tehnologiei Silicon Carbide (SiC) și designului avansat SMD Top Side Cooling cu terminal Kelvin. Cu o putere disipată de 490W și curent de drenă continuu de 110A, acest dispozitiv unipolar îmbogățit suportă impulsuri de curent de până la 220A, asigurând o eficiență ridicată și stabilitate termică optimă. Tensiunea maximă drenă-sursă este de 650V, iar intervalul de tensiune poartă-sursă variază între -5V și 18V. Rezistența în timpul funcționării este redusă la 25mΩ, ceea ce minimizează pierderile de energie. Încărcătura poartă de 240nC facilitează comutarea rapidă, iar montajul THT asigură o instalare robustă. Acest tranzistor N-MOSFET EVERLIGHT este soluția ideală pentru circuite ce necesită performanță ridicată și fiabilitate.