Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 84A DIOTEC SEMICONDUCTOR THT TO247-3
Cod producător: DIW120SIC028Cod produs: DIW120SIC028-DIO
🔍 zoomSpecificații cheie
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Tehnologie
- SiC
- Tensiune poarta sursa
- -5...20V
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Subtip ambalaj
- tub
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
- Carcasa
- TO247-3
Tranzistor: N-MOSFET · SiC · unipolar · 1,2kV · 84A · Idm: 295A · 715W
În stocExpediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
240,25 RON / bucată
TVA inclus
198,55 RON / bucată (fără TVA)
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Tehnologie
- SiC
- Tensiune poarta sursa
- -5...20V
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Subtip ambalaj
- tub
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
- Carcasa
- TO247-3
Specificații Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 84A DIOTEC SEMICONDUCTOR THT TO247-3
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | DIOTEC SEMICONDUCTOR | |
| Montare | THT | |
| Polarizare | unipolar | |
| Tehnologie | SiC | |
| Tensiune poarta sursa | -5...20V | |
| Subtip canal | îmbogăţit | |
| Subtip ambalaj | tub | |
| Tip tranzistor | N-MOSFET | |
| Carcasa | TO247-3 | |
| Putere disipata | 715W | |
| Tensiune drena sursa | 1,2kV | |
| Rezistenta in timpul functionarii | 26mΩ | |
| Curent drena | 84A | |
| Curent de drena in impuls | 295A | |
| Incarcatura poarta | 373nC |
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare
Descriere Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 84A DIOTEC SEMICONDUCTOR THT TO247-3
Tranzistorul N-MOSFET DIOTEC SEMICONDUCTOR, model SiC 1,2kV 84A, este un dispozitiv de înaltă performanță, cu tehnologie siliciu carbid (SiC), ce oferă eficiență și fiabilitate superioară în aplicații de putere. Carcasa TO247-3, cu montare prin tehnologie THT, asigură disiparea termică optimă, cu o putere disipată de până la 715W. Acest tranzistor unipolar, cu canal îmbogățit, suportă un curent de drenă continuu de 84A și un curent de drenă în impuls de 295A, la o tensiune maximă drenă-sursă de 1,2kV. Tensiunea poartă-sursă variază între -5V și 20V, iar rezistența în timpul funcționării este redusă, de doar 26mΩ, contribuind la minimizarea pierderilor energetice. Încărcătura poartă de 373nC facilitează un control precis și rapid al comutării. Ambalajul sub formă de tub asigură protecția componentelor în timpul manipulării și instalării. Acest N-MOSFET este ideal pentru sisteme care necesită performanță ridicată, stabilitate și durabilitate în condiții exigente.
Documentație Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 84A DIOTEC SEMICONDUCTOR THT TO247-3
Recenzii Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 84A DIOTEC SEMICONDUCTOR THT TO247-3
Nicio recenzie încă. Fii primul care adaugă una!
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse asociate(47)
1 / 8
Stoc limitat
Fără imagine

SEIFERT ELECTRONICKL-129/1000/M
Radiator extrudat cu aripioare naturale 1m
442,41RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine

SEIFERT ELECTRONICKL-202/1000/M
Radiator extrudat U natural 1m
171,44RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine

SEIFERT ELECTRONICKL-202/1000/SW
Radiator extrudat negru pentru TO220
698,91RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine

FISCHER ELEKTRONIKSK 456 60 3 X M3 L
Radiator extrudat cu aripioare 40mm
85,33RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine

SEIFERT ELECTRONICKL-225/50,8/SW/V/I
Radiator extrudat U, aluminiu anodizat
103,83RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine

SEIFERT ELECTRONICKL-195/25,4/SW
Radiator extrudat cu aripioare negru
78,84RON / bucTVA inclus