Tranzistor N-MOSFET IXYS 600V 82A 1250W THT PLUS264™

Tranzistorul N-MOSFET IXYS 600V 82A 1250W THT PLUS264™ este un dispozitiv de înaltă performanță, conceput pentru aplicații ce necesită eficiență și fiabilitate superioară. Producătorul IXYS garantează calitatea prin tehnologiile avansate HiPerFET™ și Polar™, care asigură o comutare rapidă și pierderi minime de putere. Cu un curent maxim de drenă de 82A și o tensiune drenă-sursă de 600V, acest MOSFET oferă o disipare de putere de până la 1,25 kW. Montarea se realizează prin tehnologia THT în carcasă robustă PLUS264™, garantând o integrare solidă și o disipare termică optimă. Polarizarea unipolară, subtipul canalului îmbogățit și rezistența internă în timpul funcționării de doar 75mΩ contribuie la performanțe stabile și eficiente. Tensiunea poartă-sursă suportată este de ±30V, iar încărcătura poartă este de 240nC, ceea ce permite un control precis al comutării. Timpul de restabilire de 200ns asigură o operare rapidă, ideală pentru aplicații ce necesită răspuns dinamic. Acest tranzistor N-MOSFET în ambalaj tub reprezintă o soluție robustă și performantă pentru sisteme electronice avansate.