Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 84A TO247 DIOTEC SEMICONDUCTOR

Tranzistorul N-MOSFET SiC 1,2kV 84A TO247 DIOTEC SEMICONDUCTOR oferă performanțe excepționale datorită tehnologiei avansate pe bază de carbura de siliciu (SiC). Cu o tensiune maximă drenă-sursă de 1,2kV și un curent drenă continuu de 84A, acest dispozitiv suportă sarcini electrice ridicate, asigurând o funcționare fiabilă și eficientă. Carcasa robustă TO247-4, destinată montării prin tehnologia THT, facilitează disiparea termică optimă, susținută de o putere disipată de 715W. Tranzistorul dispune de o rezistență internă scăzută în timpul funcționării, de 26mΩ, precum și de o încărcătură de poartă de 373nC, optimizând comutarea și reducând pierderile. Terminalul Kelvin contribuie la o polarizare unipolară stabilă, iar subtipul canalului îmbogățit asigură o sensibilitate crescută la semnalul de comandă. Curentul de drenă în impuls poate atinge până la 295A, iar tensiunea poartă-sursă variază între -5 și 20V, conferind flexibilitate în aplicații diverse. Ambalajul tip tub asigură protecție și ușurință în manipulare. Acest N-MOSFET reprezintă o soluție de înaltă performanță pentru circuite care necesită fiabilitate, eficiență energetică și durabilitate extinsă.