Tranzistor P-MOSFET VISHAY -30V -18A Idm -70A TrenchFET®

Cod producător: SIS413DN-T1-GE3
VISHAY
Tranzistor P-MOSFET VISHAY -30V -18A Idm -70A TrenchFET®🔍 zoom

Tranzistor: P-MOSFET · TrenchFET® · unipolar · -30V · -18A · Idm: -70A

În stoc
12,03 RON / bucată
TVA inclus
9,94 RON / bucată (fără TVA)
Expediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
Subtip ambalaj
rolă / bandă
Polarizare
unipolar
Montare
SMD
Subtip canal
îmbogăţit
Tensiune poarta sursa
±20V
Tip tranzistor
P-MOSFET
Incarcatura poarta
110nC
Putere disipata
33W
+ încă 6 parametri în specificații →

Specificații Tranzistor P-MOSFET VISHAY -30V -18A Idm -70A TrenchFET®

Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.

ProducătorVISHAY
Subtip ambalajrolă / bandă
Polarizareunipolar
MontareSMD
Subtip canalîmbogăţit
Tensiune poarta sursa±20V
Tip tranzistorP-MOSFET
Incarcatura poarta110nC
Putere disipata33W
Curent drena-18A
TehnologieTrenchFET®
Tensiune drena sursa-30V
CarcasaPowerPAK® 1212-8
Rezistenta in timpul functionarii13,2mΩ
Curent de drena in impuls-70A
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare

Întrebări despre acest produs

Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.

Produse asociate(9)

1 / 2