Tranzistor P-MOSFET TrenchFET® -20V -18,6A Idm: -60A VISHAY

Cod producător: SI4463CDY-T1-GE3
VISHAY
Tranzistor P-MOSFET TrenchFET® -20V -18,6A Idm: -60A VISHAY🔍 zoom

Tranzistor: P-MOSFET · TrenchFET® · unipolar · -20V · -18,6A · Idm: -60A

Lipsă stoc
13,70 RON / bucată
TVA inclus
11,32 RON / bucată (fără TVA)
Expediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
Subtip ambalaj
rolă / bandă
Polarizare
unipolar
Montare
SMD
Subtip canal
îmbogăţit
Putere disipata
5W
Carcasa
SO8
Tip tranzistor
P-MOSFET
Incarcatura poarta
162nC
+ încă 6 parametri în specificații →

Specificații Tranzistor P-MOSFET TrenchFET® -20V -18,6A Idm: -60A VISHAY

Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.

ProducătorVISHAY
Subtip ambalajrolă / bandă
Polarizareunipolar
MontareSMD
Subtip canalîmbogăţit
Putere disipata5W
CarcasaSO8
Tip tranzistorP-MOSFET
Incarcatura poarta162nC
Rezistenta in timpul functionarii14mΩ
TehnologieTrenchFET®
Curent de drena in impuls-60A
Tensiune poarta sursa±12V
Tensiune drena sursa-20V
Curent drena-18,6A
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare

Întrebări despre acest produs

Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.

Produse asociate(10)

1 / 2