N-MOSFET SiC 1,2kV 29A THT
Cod producător: G3R75MT12D
🔍 zoomSpecificații cheie
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Tehnologie
- SiC / G3R™
- Tensiune drena sursa
- 1.2kV / 1,2kV
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Tensiune poarta sursa
- -5...15V
- Subtip ambalaj
- tub
- Rezistenta in timpul functionarii
- 75mΩ
Tranzistor: N-MOSFET · SiC · unipolar · 1,2kV · 29A · Idm: 80A · 207W
Stoc limitatExpediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
112,46 RON / bucată
TVA inclus
92,94 RON / bucată (fără TVA)
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Tehnologie
- SiC / G3R™
- Tensiune drena sursa
- 1.2kV / 1,2kV
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Tensiune poarta sursa
- -5...15V
- Subtip ambalaj
- tub
- Rezistenta in timpul functionarii
- 75mΩ
Specificații N-MOSFET SiC 1,2kV 29A THT
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | GeneSiC SEMICONDUCTOR | |
| Montare | THT | |
| Polarizare | unipolar | |
| Tehnologie | SiC / G3R™ | |
| Tensiune drena sursa | 1.2kV / 1,2kV | |
| Subtip canal | îmbogăţit | |
| Tensiune poarta sursa | -5...15V | |
| Subtip ambalaj | tub | |
| Rezistenta in timpul functionarii | 75mΩ | |
| Tip tranzistor | N-MOSFET | |
| Carcasa | TO247-3 | |
| Curent drena | 29A | |
| Curent de drena in impuls | 80A | |
| Incarcatura poarta | 54nC | |
| Putere disipata | 207W |
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare
Descriere N-MOSFET SiC 1,2kV 29A THT
N-MOSFET SiC 1,2kV
G3R75MT12D este un N-MOSFET SiC cu polarizare unipolară, în carcasă TO247-3, pentru montare THT.
Produsul are tensiune drenă-sursă de 1,2kV, curent de drenă de 29A și putere disipată de 207W.
- Tehnologie: SiC
- Subtip canal: îmbogăţit
- Tensiune poartă-sursă: -5...15V
- Rezistenţă în timpul funcţionării: 75mΩ
- Curent de drenă în impuls: 80A
Elementul este livrat în subtip ambalaj tub și are încărcătură poartă de 54nC.
Documentație N-MOSFET SiC 1,2kV 29A THT
Recenzii N-MOSFET SiC 1,2kV 29A THT
Nicio recenzie încă. Fii primul care adaugă una!
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse asociate(47)
1 / 8
Stoc limitat
Fără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-129/1000/M
Radiator extrudat cu aripioare naturale 1m
442,41RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-202/1000/M
Radiator extrudat U natural 1m
171,44RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-202/1000/SW
Radiator extrudat negru pentru TO220
698,91RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
FISCHER ELEKTRONIKSK 456 60 3 X M3 L
Radiator extrudat cu aripioare 40mm
85,33RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-225/50,8/SW/V/I
Radiator extrudat U, aluminiu anodizat
103,83RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-195/25,4/SW
Radiator extrudat cu aripioare negru
78,84RON / bucTVA inclus