N-MOSFET SiC 1,7kV 43A TO247-4
Cod producător: G3R45MT17K
🔍 zoomSpecificații cheie
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Tehnologie
- SiC / G3R™
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Tensiune drena sursa
- 1.7kV / 1,7kV
- Tensiune poarta sursa
- -5...15V
- Subtip ambalaj
- tub
- Caracteristici elemente semiconductoare
- terminal Kelvin
Tranzistor: N-MOSFET · SiC · unipolar · 1,7kV · 43A · Idm: 160A · 438W
În stocExpediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
221,66 RON / bucată
TVA inclus
183,19 RON / bucată (fără TVA)
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Tehnologie
- SiC / G3R™
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Tensiune drena sursa
- 1.7kV / 1,7kV
- Tensiune poarta sursa
- -5...15V
- Subtip ambalaj
- tub
- Caracteristici elemente semiconductoare
- terminal Kelvin
Specificații N-MOSFET SiC 1,7kV 43A TO247-4
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | GeneSiC SEMICONDUCTOR | |
| Montare | THT | |
| Polarizare | unipolar | |
| Tehnologie | SiC / G3R™ | |
| Subtip canal | îmbogăţit | |
| Tensiune drena sursa | 1.7kV / 1,7kV | |
| Tensiune poarta sursa | -5...15V | |
| Subtip ambalaj | tub | |
| Caracteristici elemente semiconductoare | terminal Kelvin | |
| Rezistenta in timpul functionarii | 45mΩ | |
| Carcasa | TO247-4 | |
| Tip tranzistor | N-MOSFET | |
| Curent de drena in impuls | 160A | |
| Putere disipata | 438W | |
| Incarcatura poarta | 182nC | |
| Curent drena | 43A |
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare
Descriere N-MOSFET SiC 1,7kV 43A TO247-4
N-MOSFET SiC 1,7kV
G3R45MT17K este un N-MOSFET SiC cu tehnologie G3R™, subtip canal îmbogăţit și montare THT.
Componenta este livrată în carcasă TO247-4, cu terminal Kelvin și subtip ambalaj tub.
- Tensiune drenă-sursă: 1,7kV
- Curent drenă: 43A
- Rezistenţă în timpul funcţionării: 45mΩ
- Curent drenă în impuls: 160A
- Putere disipată: 438W
Parametrii de poartă sunt: tensiune poartă-sursă -5...15V și încărcătură poartă 182nC.
Documentație N-MOSFET SiC 1,7kV 43A TO247-4
Recenzii N-MOSFET SiC 1,7kV 43A TO247-4
Nicio recenzie încă. Fii primul care adaugă una!
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse asociate(47)
1 / 8
Stoc limitat
Fără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-129/1000/M
Radiator extrudat cu aripioare naturale 1m
442,15RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-202/1000/M
Radiator extrudat U natural 1m
171,36RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-202/1000/SW
Radiator extrudat negru pentru TO220
698,48RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
FISCHER ELEKTRONIKSK 456 60 3 X M3 L
Radiator extrudat cu aripioare 40mm
85,28RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-225/50,8/SW/V/I
Radiator extrudat U, aluminiu anodizat
103,77RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-195/25,4/SW
Radiator extrudat cu aripioare negru
78,78RON / bucTVA inclus