Tranzistor P-MOSFET TrenchFET® unipolar -30V -8A Idm -50A pentru aplicații electronice

Cod producător: SI3421DV-T1-GE3
VISHAY
Tranzistor P-MOSFET TrenchFET® unipolar -30V -8A Idm -50A pentru aplicații electronice🔍 zoom

Tranzistor: P-MOSFET · TrenchFET® · unipolar · -30V · -8A · Idm: -50A

În stoc
9,35 RON / bucată
TVA inclus
7,73 RON / bucată (fără TVA)
Expediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
Subtip ambalaj
rolă / bandă
Polarizare
unipolar
Montare
SMD
Subtip canal
îmbogăţit
Tensiune poarta sursa
±20V
Tip tranzistor
P-MOSFET
Putere disipata
2,7W
Curent drena
-8A
+ încă 6 parametri în specificații →

Specificații Tranzistor P-MOSFET TrenchFET® unipolar -30V -8A Idm -50A pentru aplicații electronice

Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.

ProducătorVISHAY
Subtip ambalajrolă / bandă
Polarizareunipolar
MontareSMD
Subtip canalîmbogăţit
Tensiune poarta sursa±20V
Tip tranzistorP-MOSFET
Putere disipata2,7W
Curent drena-8A
TehnologieTrenchFET®
Tensiune drena sursa-30V
Incarcatura poarta69nC
Curent de drena in impuls-50A
CarcasaTSOP6
Rezistenta in timpul functionarii19,2mΩ
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare

Întrebări despre acest produs

Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.

Produse asociate(9)

1 / 2