Module MOSFET SiC 1,2kV 110A

Cod producător: DACMI160N1200Cod produs: DACMI160N1200-DCO
DACO Semiconductor
Module MOSFET SiC 1,2kV 110A🔍 zoom

Modul · mono-tranzistor · 1,2kV · 110A · SOT227B · înşurubare · Idm: 400A

Stoc limitat
534,20 RON / bucată
TVA inclus
441,49 RON / bucată (fără TVA)
Expediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
Montare mecanica
înşurubare
Montare electrica
înşurubare
Polarizare
unipolar
Temperatura de lucru
-55...150°C
Tehnologie
SiC
Tensiune drena sursa
1.2kV / 1,2kV
Tip modul
cu tranzistor MOSFET
Structura semiconductorului
mono-tranzistor
+ încă 6 parametri în specificații →

Specificații Module MOSFET SiC 1,2kV 110A

Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.

ProducătorDACO Semiconductor
Montare mecanicaînşurubare
Montare electricaînşurubare
Polarizareunipolar
Temperatura de lucru-55...150°C
TehnologieSiC
Tensiune drena sursa1.2kV / 1,2kV
Tip modulcu tranzistor MOSFET
Structura semiconductoruluimono-tranzistor
CarcasaSOT227B
Curent de drena in impuls400A
Putere disipata580W
Curent drena110A
Tensiune poarta sursa-5...20V
Rezistenta in timpul functionarii20mΩ
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare

Întrebări despre acest produs

Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.

Produse similare