EMElectronicMag.ro
Tranzistor N-MOSFET unipolar 30V 10A cu Idm 36A 2W DFN2020-8S - Componentă electronică de înaltă performanță

Tranzistor N-MOSFET unipolar 30V 10A cu Idm 36A 2W DFN2020-8S - Componentă electronică de înaltă performanță

Cod producător: RF4E100AJTCR
Producător:ROHM SEMICONDUCTOR
În stoc
11,05 RON
TVA inclus
9,13 RON (fără TVA)

Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 36A; 2W; DFN2020-8S

Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.

ProducătorROHM SEMICONDUCTOR
Subtip-ambalajrolă / bandă
Polarizareunipolar
MontareSMD
Subtip-canalîmbogăţit
Tip-tranzistorN-MOSFET
Curent-de-drena-in-impuls36A
Curent-drena10A
Tensiune-drena-sursa30V
Incarcatura-poarta13nC
Putere-disipata2W
Tensiune-poarta-sursa±12V
Rezistenta-in-timpul-functionarii12,4mΩ
CarcasaDFN2020-8S
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare

Produse asociate(10)

1 / 2
Lipsă stoc
Fără imagineUnealtă pentru îmbinare benzi
ANTISTAT
Unealtă pentru îmbinare benzi
4.496,37RONTVA inclus
Lipsă stoc
Fără imagineKit Pensete SMD ESD cu Etui, Rezistent la Acizi
BERNSTEIN
Kit Pensete SMD ESD cu Etui, Rezistent la Acizi
804,32RONTVA inclus
În stoc
Fără imaginePensetă Nemagnetică cu Vârf Curbat SMD
BERNSTEIN
Pensetă Nemagnetică cu Vârf Curbat SMD
176,81RONTVA inclus
Stoc: 4
Fără imaginePensetă Nemagnetică Trapezoidală SMD ESD
BERNSTEIN
Pensetă Nemagnetică Trapezoidală SMD ESD
174,99RONTVA inclus
Lipsă stoc
Fără imaginePensetă vârfuri îndoite 35° SMD
BERNSTEIN
Pensetă vârfuri îndoite 35° SMD
132,48RONTVA inclus
Stoc: 1
Fără imagine
ANTISTAT
Unealtă pentru Îmbinare Benzi
2.844,96RONTVA inclus